離子束蝕刻(ion beam etching)是2005年公布的航天科學技術名詞。
基本介紹
- 中文名:離子束蝕刻
- 外文名:ion beam etching
- 所屬學科:航天科學技術
- 公布時間:2005年
離子束蝕刻(ion beam etching)是2005年公布的航天科學技術名詞。
離子束蝕刻(ion beam etching)是2005年公布的航天科學技術名詞。公布時間2005年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《航天科學技術名詞》第一版。1...
離子束刻蝕系統是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2005年10月1日啟用。技術指標 離子刻蝕系統由離子源、真空系統、反應室、氣路系統、水冷系統五大部分組成1.離子源口徑:Ф150mm2.有效...
離子銑,也稱為離子束刻蝕(IBE),是具有強方向性電漿的一種物理刻蝕機理。它能對小尺寸圖形產生各向異性刻蝕。電漿通常是由電感耦合RF源或微波源產生的。熱燈絲髮射快速運動的電子。氬原子通過擴散篩進入等離子腔體內。電磁場...
離子束蝕刻還套用於減薄材料,製作穿透式電子顯微鏡試片。2.離子束鍍膜加工:離子束鍍膜加工有濺射沉積和離子鍍兩種形式。離子鍍可鍍材料範圍廣泛,不論金屬、非金屬表面上均可鍍制金屬或非金屬薄膜,各種合金、化合物、或某些合成材料、...
離子束刻蝕設備是一種用於物理學領域的儀器,於2018年10月20日啟用。技術指標 1、刻蝕室極限真空度:≤9.0×10-5Pa; 2、刻蝕材料:矽、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、陶瓷以及各種金屬、非金屬硬質薄膜等; 3、刻蝕速率:≥ 10 nm ~ ...
離子束刻蝕機是一種用於工程與技術科學基礎學科、測繪科學技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2013年07月15日啟用。技術指標 真空度1E-6mbar;最大樣品尺寸:500mm*1500mm;離子束刻蝕深度10nm-2000nm;刻蝕深度均勻性優於...
反應離子束刻蝕系統 反應離子束刻蝕系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2015年12月25日啟用。技術指標 配備了6路帶質量流量計的工藝氣路: SF6, CF4,CHF3,O2,N2, Ar。主要功能 刻蝕二氧化矽、氮化矽介質膜。
反應性離子刻蝕 (reaction ionetching;RIE)是製作半導體積體電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的積體電路板上的保護膜時,利用反應性氣體的離子束,切斷保護膜物質的化學鍵,使之產生低分子物質,揮發或游離出板面,這樣的方法稱為反應性...
《離子束濺射生物活體靶刻蝕作用的物理機制研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院,由吳躍進擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 離子束濺射技術廣泛套用於表面刻蝕和製備薄膜,對生物活體表面的刻蝕作用有重要套用前景。本項目研究注入離子...
由於曝光束不同,刻蝕技術可以分為光刻蝕(簡稱光刻)、X射線刻蝕、電子束刻蝕和離子束刻蝕,其中離子束刻蝕具有解析度高和感光速度快的優點,是正在開發中的新型技術。套用 刻蝕工藝不僅是半導體器件和積體電路的基本製造工藝,而且還套用於...
離子束刻蝕作為一種可主動控制的非接觸式加工方式,可在不影響元件表面質量(包括表面粗糙度、面形、殘餘應力)的前提下有效去除或鈍化熔石英元件表面和亞表面缺陷,是一項非常有前景的技術。本項目擬採用氬離子束表面處理方法去除或鈍化熔...
《基於聚焦離子束刻蝕的三維表面等離子納米結構的研究》是依託東北大學,由司光遠擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 以聚焦離子束刻蝕系統為製備工具,研究通過使用簡單的橫向和縱向或±45°兩次刻蝕的方法得到三維表面電漿納米...
4. 蝕刻終點偵測(End Point Detection)-偵測二次離子的訊號,藉以了解切割或蝕刻的進行狀況。在實際的套用上,為了有效的搜尋故障的區域或外來掉落的材料碎屑、塵埃、污染粒子(Particles)等位置,離子束顯微鏡在外圍的控制系統上,可配備...
Leica離子濺射刻蝕減薄儀是一種用於物理學、材料科學、機械工程、化學工程領域的科學儀器,於2011年3月16日啟用。技術指標 離子束能量:0.8~10keV,研磨角:0~90°。主要功能 主要用於透射電鏡的樣品製備,適合於陶瓷材料和金屬基複合...
聚焦離子束技術(FIB)是一種集形貌觀測、定位制樣、成分分析、薄膜澱積和無掩膜刻蝕各過程於一身的新型微納加工技術。聚焦的離子束在半導體行業有著重要作用,可用來切割納米級結構,對光刻技術中的禁止板進行修補,分離和分析積體電路的...
反離子蝕刻機 反離子蝕刻機是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2008年11月30日啟用。技術指標 最大功率200W,能夠對Si、PZT等常規材料進行刻蝕。主要功能 套用於微電子材料、半導體材料。
乾法刻蝕主要形式有純化學過程(如禁止式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學過程,常用的有反應離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等。乾法刻蝕方式很多,一般有:濺射與離子束銑蝕, 等離子刻蝕(Plasma Etching),...
2.3.4遠距電漿蝕刻機台 2.3.5電漿邊緣蝕刻機台 2.4電漿先進蝕刻技術簡介 2.4.1電漿脈衝蝕刻技術 2.4.2原子層蝕刻技術 2.4.3中性粒子束蝕刻技術 2.4.4帶狀束方向性蝕刻技術 2.4.5氣體團簇離子束蝕刻技術 ...
精密刻蝕噴鍍儀是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2006年3月25日啟用。技術指標 離子束能量:1 ~ 10 keV; 搖擺角:0 ~ 90 o; 搖擺速度:0 ~ 40 o/s; 旋轉速度:10 ~ 60 rpm; 真空系統:無油機械泵+分子泵系統。
刻蝕機 刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,產地為英國,於2012年5月14日啟用。技術指標 均勻性±5%。主要功能 三五簇材料的台面及溝槽刻蝕。
這些加工處理方法包括空氣或超高真空中的壓裂、切割、刮削,用於清除某些表面污染的離子束蝕刻,為研究受熱時的變化而置於加熱環境,置於可反應的氣體或溶劑環境,置於離子注入環境,以及置於紫外線照射環境等。XPS也被稱作ESCA,這是化學分析...
第5章 蝕刻技術 (280)5.1 引言 (280)5.2 濕法(化學)蝕刻 (282)5.3 電漿濺射蝕刻 (287)5.4 離子束蝕刻和離子銑 (292)5.5 基於化學作用的電漿蝕刻 (294)5.6 光刻-蝕刻後的去膠 (302)5.7 雷射...
8.2.1 刻蝕作用 (112)8.2.2 電勢分布 (113)8.3 電漿刻蝕 (114)8.3.1 電漿的形成 (114)8.3.2 常見薄膜的等離子刻蝕 (115)8.3.3 電漿刻蝕設備 (119)8.4 反應離子刻蝕與離子束濺射刻蝕 (120)...
專利領域覆蓋先進光學設計、自由曲面光學元件、金剛石切削、離子束蝕刻、微型投影儀、鍍膜、微納光電感測器等超精密光學加工與檢測的所有方向。為上海和全國的企事業單位,提供光學切削、拋光、蝕刻、鍍膜、微光機電集成、超精密元件設計與製備...
5. 《微透鏡陣列反應離子束蝕刻傳遞研究》,光學學報,1998 6. 《折射型微透鏡陣列的非成象光學特性研究》,光子學報,1999 《大口徑光學元件波前功率譜密度檢測》,光子學報,2001 7. 《大口徑干涉儀系統傳遞函式校準》,強雷射與...