金屬半導體場效應管

金屬半導體場效應管(英語:metal semiconductor field effect transistor, MESFET),簡稱金半場效應管,是一種在結構上與結型場效應管類似,不過它與後者的區別是這種場效應管並沒有使用PN結作為其柵極,而是採用金屬半導體接觸結,構成肖特基勢壘的方式形成柵極。

基本介紹

  • 中文名:金屬半導體場效應管
  • 外文名:metal semiconductor field effect transistor,
  • 簡稱:金半場效應管
  • 領域:硬體
簡介,場效應管,結型場效應管,肖特基勢壘,

簡介

金屬半導體場效應管通常由化合物半導體構成,例如砷化鎵磷化銦碳化矽等,它的速度比由矽製造的結型場效應管MOSFET更快,但是造價相對更高。金屬半導體場效應管的工作頻率最高可以達到45 GHz左右,在微波頻段的通信、雷達等設備中有著廣泛套用。第一個金屬半導體場效應管在1966年被發明,其良好的極高頻性能在隨後的一年即展現出來。在數字電路設計領域,由於數字積體電路的集成度不斷提高,因此使用金屬半導體場效應管並不如CMOS

場效應管

場效應管(英語:field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制電流的電子元件。
它依靠電場去控制導電溝道形狀,因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性場效應電晶體有時被稱為“單極性電晶體”,以它的單載流子型作用對比雙極性電晶體。由於半導體材料的限制,以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造,場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出,但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。

結型場效應管

結型場效應管(JFET,從英語junction-fet或者NIGFET,從英語non-insulated-gate-fet縮寫而成)是單極場效應管中最簡單的一種。它可以分n溝道或者p溝道兩種。在下面的論述中主要以n溝道結型場效應管為例,在p溝道結型場效應管中n區和p區以及所有電壓正負和電流方向正好顛倒過來。
n通道結型場效應管由一個被一個p型摻雜(阻礙層)環繞的n型摻雜組成。在n型摻雜上連有汲極(也稱漏極,來自英語Drain,因此也稱D極)和源極(來自英語Source,因此也稱S極)。從源極到汲極的這段半導體被稱為n通道。p區連有閘極(也稱柵極,來自英語Gate,因此也成為G極)。這個極被用來控制結型場效應管,它與n通道組成一個pn二極體,因此結型場效應管與金屬-氧化物-半導體場效應管類似,只不過在金屬-氧化物-半導體場效應管中不是使用pn結,而是使用肖特基結(金屬與半導體之間的結),在原理上結型場效應管與金屬-氧化物-半導體場效應管是完全一樣的。

肖特基勢壘

肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體界面,就如同二極體具有整流特性。肖特基勢壘(障壁)相較於PN結最大的區別在於具有較低的接面電壓,以及在金屬端具有相當薄的(幾乎不存在)耗盡層寬度。
並非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的,不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定於金屬的功函、固有半導體的能隙,以及半導體的摻雜類型及濃度。在設計半導體器件時需要對肖特基效應相當熟悉,以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生肖特基勢壘。

相關詞條

熱門詞條

聯絡我們