《金屬-氧化物-半導體場效應電晶體電路設計》是1971年科學出版社出版的圖書,作者是姚爾久。
基本介紹
- 書名:金屬-氧化物-半導體場效應電晶體電路設計
- 作者:姚爾久
- 出版社:科學出版社
- 出版時間:1971年09月
- 書號:150319
《金屬-氧化物-半導體場效應電晶體電路設計》是1971年科學出版社出版的圖書,作者是姚爾久。
《金屬-氧化物-半導體場效應電晶體電路設計》是1971年科學出版社出版的圖書,作者是姚爾久。內容簡介本書系統地介紹了金屬-氧化物-半導體器件和金屬-氧化物-半導體積體電路的設計諸問題。全書共分六章。第一章為引言。第二章和...
MOS集成電路是以金屬-氧化物-半導體(MOS)場效應電晶體為主要元件構成的集成電路 。簡稱MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場效應電晶體。直到1968年解決了MOS器件的穩定。MOS積體電路是一種常用的積體電路。最小單元是反相器,由兩隻金屬一氧化...
效應管 金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效應管依照其溝道極性的...
雙極-CMOS集成電路(BiCMOS)體管和MOSFET(金屬氧化半導體場效應電晶體)集成於同一晶片,生產工藝複雜,比製造同種複雜程式的CMOS器件花費要高,它的成功與否將取決於CMOS、GaAs在其各自套用領域取得成功的程度。BiCMOS-E性能不及GaAs與純...
場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。產品簡介 一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體,或者稱...
金屬–氧化物–半導體電晶體,用平面技術製造的一種場效應電晶體。用途 簡稱MOS場效應電晶體。平面技術是用一系列半導體工藝將電晶體、元件、導線等都做在矽平面上(見集成電路)。場效應電晶體包括源極、漏極、柵極和連線源漏的溝道。...
在數字電路設計領域,由於數字積體電路的集成度不斷提高,因此使用金屬半導體場效應管並不如CMOS。場效應管 場效應管(英語:field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀,因此...
是由金屬、氧化物和半導體場效應管組成的集成電路 本詞條缺少概述圖,補充相關內容使詞條更完整,還能快速升級,趕緊來編輯吧! 金屬氧化物半導體積體電路是由金屬、氧化物和半導體場效應管組成的積體電路。
半浮柵電晶體(SFGT):結構巧 性能高 金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(MOSFET)是目前集成電路中最基本的器件,工藝的進步讓MOSFET電晶體的尺寸不斷縮小,而其功率密度也一直在升高。我們常用的隨身碟等快閃記憶體晶片則採用了另一種稱為浮柵...
在使用的pnp或npn面結型電晶體的工作中,包括金屬-氧化物-半導體電晶體在內的場效應電晶體,只需要一種載流子,這種電晶體就叫做單極電晶體。單極電晶體即場效應電晶體,因為場效應電晶體在工作時,半導體中只有多數載流子起主要作用,...
PN結、金屬氧化物半導體場效應管等組成了集成電路器件的基礎結構,而由後者構成的互補式金屬氧化物半導體則憑藉其低靜態功耗、高集成度的優點成為數字積體電路中邏輯門的基礎構造。設計人員需要考慮電晶體、互連線的能量耗散,這一點與以往由...
晶體三極體與場效應管工作原理完全不同,但是各極可以近似對應以便於理解和設計:電晶體:基極發射極集電極 場效應管:柵極源極漏極 要注意的是,電晶體(NPN型)設計發射極電位比基極電位低(約0.6V),場效應管源極電位比柵極電位高(...
1959年,貝爾實驗室的Dawon Kahng和Martin M.(John)Atalla發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)作為專利FET設計的分支。在操作上和結構上不同於雙極結型電晶體,MOSFET是通過在半導體表面上放置絕緣層然後在其上放置金屬柵電極而...
採用功率MOSFET場效應作為開關電源中的功率開關,在啟動或穩態工作條件下,功率MOSFET場效應管的峰值電流要比採用雙極型功率電晶體小得多。功率場效應管與雙極型功率電晶體之間的特性比較如下:1. 驅動方式:場效應管是電壓驅動,電路設計...
柵為金屬鋁。兩個鄰近的P型擴散區和跨於兩擴散區的鋁柵,連同襯底構成一個P溝道MOS電晶體,鋁柵PMOS電路中各元件之間,可用與鋁柵同時形成的鋁線或與源、漏區同時形成的擴散線進行連線。釋義 見P溝道金屬-氧化物-半導體積體電路。
任務 設計小功率電晶體音頻放大器 知識小結 思考與練習 項目3 場效應電晶體放大器的測試與設計 模組3.1 結型場效應電晶體(JFET)基本特性的測試 任務 JFET各電壓與電流關係的測量 模組3.2 金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(MOSFET)...
《高頻CMOS模擬積體電路基礎(影印版)》適合電子信息專業的高年級本科生及研究生作為RFCMOS電路設計相關課程的教材使用,也適合模擬電路及射頻電路工程師作為參考使用。mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體...
這種設計可以大幅改善電路控制並減少漏電流(leakage),也可以大幅縮短電晶體的柵長。工作原理 FinFET被稱為鰭式場效應電晶體,是一種新的互補式金屬氧化物半導體電晶體。該項技術的發明人是加州大學伯克利分校的胡正明教授。如右圖所示,...
給電路設計帶來了極大地方便。6. 由於它是電壓控制器件,具有很高的輸入阻抗,因此其驅動功率很小,對驅動電路要求較低。由於這些明顯的優點,功率場效應電晶體在電機調速,開關電源等各種領域套用的非常廣泛。特性 功率場效應電晶體及其...
金屬-氧化物-半導體場效應電晶體 金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)是2019年發布的物理學名詞。公布時間 2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
第2章 MOS場效應管的製造 2.1 概述 2.2 製造工藝的基本步驟 2.3 CMOS n阱工藝 2.4 CMOS技術的發展 2.5 版圖設計規則 2.6 全定製掩膜版圖設計 習題 第3章 MOS電晶體 3.1 金屬-氧化物-半導體(MOS)結構 3.2 外部偏置下...
3.4雙極型電晶體(BJT)53 3.4.1工作原理53 3.4.2縱向BJT56 3.4.3橫向BJT57 3.4.4襯底BJT58 3.4.5小信號模型59 3.5金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(MOSFET)61 3.5.1工作原理61 3.5.2寄生電容66 3.5.3P溝道...
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體,而擁有這種結構的電晶體我們稱之為NMOS電晶體。 MOS電晶體有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的積體電路稱為MOS積體電路,由NMOS組成的電路就是NMOS...
第 1章 金屬-氧化物-半導體場效應電晶體基礎 1.1 引言 1.2 MOSFET的工作原理 1.2.1 累積 1.2.2 耗盡 1.2.3 反型 1.2.4 強反型 1.3 MOSFET的品質因數 1.4 MOSFET器件結構的演變 1.5 小結 參考文獻 第2章器件結構...
但隨著集成電路晶片的降價(如今一個晶片的價格僅為人民幣0.5元左右),RCC的成本優勢已經非常弱。主開關電晶體 傳統的RCC一般採用功率三極體(BJT)作為開關管。較新的設計採用了金屬-氧化物-半導體場效應管(MOSFET),以實現更低功耗...
PN結、金屬氧化物半導體場效應管等組成了集成電路器件的基礎結構,而由後者構成的互補式金屬氧化物半導體則憑藉其低靜態功耗、高集成度的優點成為數字積體電路中邏輯門的基礎構造。設計人員需要考慮電晶體、互連線的能量耗散,這一點與以往由...
除了結型場效應管外,所有的FET也有第四端,被稱為體(body)、基(base)、塊體(bulk)或襯底(substrate)。這個第四端可以將電晶體調製至運行;在電路設計中,很少讓體端發揮大的作用,但是當物理設計一個積體電路的時候,它的...
9 The “ Long” Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor “長”金屬-氧化物-半導體場效應電晶體 9.1 The Ideal MOSFET 理想的金屬–氧化物–半導體場效應電晶體 9.2 Qualitative Operation of the Ideal MOSFET 理想MOSFET...