《高頻CMOS模擬積體電路基礎》是2011年科學出版社出版的圖書，作者是（土）萊布萊比吉。本書以設計為核心理念從基礎模擬電路講述到射頻積體電路的研發。系統地介紹了高頻積體電路體系的構建與運行，重點講解了電晶體級電路的工作體系，設備性能影響及伴隨回響，以及時域和頻域上的輸入輸出特性。
基本介紹
- 書名：高頻CMOS模擬積體電路基礎
- 作者：（土）萊布萊比吉 等著
- ISBN：9787030315199
- 定價：￥60.00
- 出版社：科學出版社
- 出版時間：2011-6-1
- 開本：16開
內容簡介,目錄,
內容簡介
《高頻CMOS模擬積體電路基礎（影印版）》適合電子信息專業的高年級本科生及研究生作為RFCMOS電路設計相關課程的教材使用，也適合模擬電路及射頻電路工程師作為參考使用。
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
基爾霍夫定律是德國物理學家基爾霍夫提出的。基爾霍夫定律是電路理論中最基本也是最重要的定律之一。它概括了電路中電流和電壓分別遵循的基本規律。它包括基爾霍夫電流定律（KCL）和基爾霍夫電壓定律（KVL）。
目錄
Preface 1 Components of analog CMOS ICs 1.1 MOS transistors 1.1.1 Current-voltage relations of MOS transistors 1.1.1.1 The basic current-voltage relations without velocity saturation 1.1.1.2 Current-voltage relations under velocity saturation 1.1.1.3 The sub-threshold regime 1.1.2 Determination of model parameters and related secondary effects 1.1.2.1 Mobility 1.1.2.2 Gate capacitance 1.1.2.3 Threshold voltage 1.1.2.4 Channel length modulation factor 1.1.2.5 Gate length （L） and gate width （W） 1.1.3 Parasitics of MOS transistors 1.1.3.1 Parasitic capacitances 1.1.3.2 The high-frequency figure of merit 1.1.3.3 The parasitic resistances 1.2 Passive on-chip components 1.2.1 On-chip resistors 1.2.2 On-chip capacitors 1.2.2.1 Passive on-ch
