金屬–氧化物–半導體電晶體

金屬–氧化物–半導體電晶體，用平面技術製造的一種場效應電晶體。

基本介紹

• 中文名：金屬–氧化物–半導體電晶體
• 簡稱：MOS場效應電晶體

用途

簡稱MOS場效應電晶體。平面技術是用一系列半導體工藝將電晶體、元件、導線等都做在矽平面上（見積體電路）。場效應電晶體包括源極、漏極、柵極和連線源漏的溝道。柵極和溝道之間的絕緣層是二氧化矽層。二氧化矽層很薄（小至幾個納米），通過柵極能有效地控制溝道的電導特性。MOSFET是大規模及超大規模積體電路中採用得最為廣泛的半導體器件，主要用作二進制計算的邏輯電路，分為增強型和耗盡型兩類。