金屬-氧化物-半導體場效應電晶體（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）是2019年發布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名：金屬-氧化物-半導體場效應電晶體
- 外文名：metal-oxide-semiconductor field effect transistor
- 所屬學科：物理學
- 公布時間：2019年
公布時間,出處,
公布時間
2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《物理學名詞》第三版。
金屬-氧化物-半導體場效應電晶體（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）是2019年發布的物理學名詞。
金屬–氧化物–半導體電晶體，用平面技術製造的一種場效應電晶體。用途 簡稱MOS場效應電晶體。平面技術是用一系列半導體工藝將電晶體、元件、導線等都做在矽平面上（見積體電路）。場效應電晶體包括源極、漏極、柵極和連線源漏的溝道。...
MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應電晶體，簡稱金氧半場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。產品簡介 一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱...
場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為...
金屬-氧化物-半導體場效應電晶體 金屬-氧化物-半導體場效應電晶體（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）是2019年發布的物理學名詞。公布時間 2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬---氧化物---半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。（1）結構原理 它的結構、電極及符號見圖3所示，以一塊P型薄矽片作為襯底，在它上面擴散兩個高雜質的N型區，作為源極S和漏極D...
半浮柵電晶體（SFGT）是介於普通MOSFET電晶體和浮柵電晶體之間的電晶體。簡介 它的英文名字是“SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor”，簡稱SFGT.性能和結構 半浮柵電晶體（SFGT）：結構巧 性能高 金屬-氧化物-半導體場效應電晶體（...
與傳統的金屬-氧化物-半導體場效應電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET）器件不同，源極、溝道及漏極的雜質摻雜類型相同，無PN結，屬於多數載流子導電器件。JLT利用柵極偏置電壓改變垂直於導電溝道的電場強度，...
《金屬-氧化物-半導體場效應電晶體電路設計》是1971年科學出版社出版的圖書，作者是姚爾久。內容簡介 本書系統地介紹了金屬-氧化物-半導體器件和金屬-氧化物-半導體積體電路的設計諸問題。全書共分六章。第一章為引言。第二章和第三章...
場效應管生物感測器(field effect transistor biosensor)，又稱半導體生物感測器(semiconductive biosensor)，或生物場效應電晶體感測器[field-effect transistor(FET) biosensor,BioFET ]。它是基於金屬(metal)-氧化物(oxide)- 半導體(...
根據結構的不同，單極電晶體（場效應管）可分為絕緣柵型場效應管(insulated gate field-effect transistor，IGFET)和結型場效應管(junction field-effect transistor，JFET)兩大類。前者更普遍地稱為金屬-氧化物-半導體場效應管(metal-...
從源極到汲極的這段半導體被稱為n通道。p區連有閘極（也稱柵極，來自英語Gate，因此也成為G極）。這個極被用來控制結型場效應管，它與n通道組成一個pn二極體，因此結型場效應管與金屬-氧化物-半導體場效應管類似，只不過在金屬-...
功率MOS場效應電晶體，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應電晶體），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應電晶體。分類 ...
本書系統深入地闡述了各種類型場效應電晶體的工作原理、靜態特性、高頻性能、功率性能及噪聲性能等．全書共十二章，第一至六章為結型場效應電晶體和金屬-半導體場效應電晶體；第七至十一章為金屬-氧化物-半導體場效應電晶體；第十二章...
氫敏場效應電晶體 用具有催化活性的金屬，如鈀(Pd)等，作為金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的柵極金屬，可製成一種新型氫敏器件鈀柵金屬-氧化物-半導體場效應電晶體（Pd-MOSFET）。當氫氣到達鈀柵外表面時,由於鈀的催化分解作用,氫氣...
1959年，貝爾實驗室的Dawon Kahng和Martin M.（John）Atalla發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）作為專利FET設計的分支。在操作上和結構上不同於雙極結型電晶體，MOSFET是通過在半導體表面上放置絕緣層然後在其上放置金屬柵電極而...
1970年Bergveld將普通的金屬一氧化物一半導體場效應電晶體(MOS-FET)去掉金屬柵極，讓絕緣體(SiOz)與溶液直接接觸，得到的源漏電流與回響離子的濃度呈線性關係，這就是世界上第一個ISFET，從此揭開了ISFET研究的序幕。隨後美國、日本和...
比利時微電子研究中心的下一代鰭式場效應電晶體研究是其核心CMOS項目的一部分。套用 具有實用性的應變鍺量子阱溝道P型金屬氧化物半導體（MoS）鰭式場效應電晶體表明，鰭式場效應電晶體和三柵結構具備套用於7mm和5nm CMos器件的可能性。...
金屬氧化物半導體場效應管 金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效應管...
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的電晶體我們稱之為NMOS電晶體。 MOS電晶體有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的積體電路稱為MOS積體電路，由NMOS組成的電路就是NMOS...
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管 全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor 別名 ： positive MOS 金屬氧化物半導體場效應(MOS)電晶體可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道矽MOS場效應電晶體在N型矽襯底...
MOS積體電路是以金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應電晶體為主要元件構成的積體電路 。簡稱MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場效應電晶體。直到1968年解決了MOS器件的穩定。MOS積體電路是一種常用的積體電路。最小單元是反相器，由兩隻金屬一氧化...
IRF9540，P溝道功率金屬氧化物（半導體）場效應電晶體。基本參數：電晶體類型:P溝道功率金屬氧化物（半導體）場效應電晶體 漏極電流, Id最大值:-23A 電壓, Vds最大:100V 開態電阻, Rds(on):0.117ohm 電壓@ Rds測量:10V 電晶體...
DMOS與CMOS器件結構類似，也有源、漏、柵等電極，但是漏端擊穿電壓高。DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET（vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管LDMOSFET（lateral double-...
第 1章 金屬-氧化物-半導體場效應電晶體基礎 1.1 引言 1.2 MOSFET的工作原理 1.2.1 累積 1.2.2 耗盡 1.2.3 反型 1.2.4 強反型 1.3 MOSFET的品質因數 1.4 MOSFET器件結構的演變 1.5 小結 參考文獻 第2章器件結構...
場效應管可套用於放大。由於場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），屬於絕緣柵型。其主要...
基本單元電路反相器由N溝道和P溝道 MOS場效應電晶體對管（見P溝道金屬-氧化物-半導體積體電路和N溝道金屬-氧化物-半導體積體電路）構成，以推挽形式工作,能實現一定邏輯功能的積體電路,簡稱CMOS。單元電路如圖1。CMOS電路的特點是：①靜態...
金屬氧化物半導體場效應電晶體 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全稱 V型槽場效應管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）註：這三者看上去都是場效應管，其實金屬氧化物半導體場效應電晶體 、...
《微電子器件物理》共7章，介紹半導體物理基礎知識、PN結及二極體、雙極型電晶體、金屬-氧化物-半導體（MOS）電容、金屬-氧化物-半導體場效應電晶體（MOSFET）、納米CMOS器件、金屬-半導體接觸和結型場效應電晶體。同時，介紹微電子器件發展...
雙極-CMOS積體電路(BiCMOS)體管和MOSFET（金屬氧化半導體場效應電晶體）集成於同一晶片，生產工藝複雜，比製造同種複雜程式的CMOS器件花費要高，它的成功與否將取決於CMOS、GaAs在其各自套用領域取得成功的程度。BiCMOS－E性能不及GaAs與純...