《場效應電晶體理論基礎》是1985年科學出版社出版的圖書，作者是亢寶位。
《場效應電晶體理論基礎》是1985年科學出版社出版的圖書，作者是亢寶位。內容簡介本書系統深入地闡述了各種類型場效應電晶體的工作原理、靜態特性、高頻性能、功率性能及噪聲性能等．全書共十二章，第一至六章為結型場效應電晶體和金...
場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為...
場效應電晶體（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體.它屬於電壓控制型半導體器件.特點 具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿...
場效應[晶體]管 場效應[晶體]管（field-effect transistor）是2019年公布的物理學名詞，出自《物理學名詞》第三版。公布時間 2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
由此可見，結型場效應管的漏極電流ID受UGS和UDS的雙重控制。這種電壓的控制作用，是場效應管具有放大作用的基礎。三、特性曲線 1．輸出特性曲線 輸出特性曲線是柵源電壓UGS取不同定值時，漏極電流ID 隨漏源電壓UDS 變化的一簇關係曲線...
有機場效應電晶體（Organic field-effect transistor, OFET）是一種利用有機半導體組成信道的場效應電晶體。OFET的原料分子通常是含有芳環的π電子共軛體系。OFET的製造工藝有小分子在真空中蒸發、聚合物溶液澆注、將原料單晶剝離至基板等...
2012年，韓國科學院和三星電子公司的科學家在肖德元等人的無結圓柱體溝道場效應電晶體耗盡層近似器件模型基礎上，提出了完整的長溝道圓柱體全包圍柵無結場效應電晶體器件模型。該模型基於Pao-Sah積分並在器件全耗盡、部分耗盡及積累等所有...
鐵電場效應電晶體也就是鐵電介質柵極場效應電晶體（MFSFET，Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET）：這是在MOSFET的基礎上，把柵極SiO2絕緣材料更換為高介電常數的鐵電材料即得。材料簡介 因為MOSFET的飽和電流與柵極絕緣體材料的介電常數...
MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應電晶體，簡稱金氧半場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。產品簡介 一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱...
自旋極化場效應電晶體（Spin-FET）也叫自旋場效應電晶體， 又叫為自旋極化半導體場效應電晶體，這是一種半導體自旋電子器件。工作原理 自旋FET是1990年由Datta和A.Das提出來的。其基本結構見圖示，參與導電的是InAlAs/InGaAs異質結形成的...
利用場效應電晶體作有源器件的放大電路。場效應電晶體是20世紀60年代發展起來的半導體器件。它既有一般電晶體體積小、重量輕、耗電省和可靠性高等優點，又有遠比一般電晶體高的輸入阻抗。此外，由於MOS場效應電晶體組成的積體電路製造工藝...
之後，肖克利（WilliamShockley）於 1948 年初在巴丁和布列坦的研究基礎上發明了雙極性電晶體（Bipolar Junction Transistor，BJT）和結型場效應電晶體（Junction Field-Effect Transistor，JFET）。三位研究人員因其在半導體領域的突出貢獻，於...
MOS場效電晶體 MOS場效電晶體（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
8.6.1 電遷移基礎理論 8.6.2 應力致空洞化 8.7 先進金屬間介質的可靠性 8.7.1 金屬間介質的漏電機理 8.7.2 金屬間介質的擊穿特性 8.8 可靠性統計和失效模型 8.8.1 機率分布函式 8.8.2 擊穿加速模型 8.9 未來的互連...
