場效應[晶體]管(field-effect transistor)是2019年公布的物理學名詞,出自《物理學名詞》第三版。
基本介紹
- 中文名:場效應[晶體]管
- 外文名:field-effect transistor
- 所屬學科:物理學
- 公布時間:2019年
場效應[晶體]管(field-effect transistor)是2019年公布的物理學名詞,出自《物理學名詞》第三版。
場效應[晶體]管 場效應[晶體]管(field-effect transistor)是2019年公布的物理學名詞,出自《物理學名詞》第三版。公布時間 2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。產品簡介 一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體,或者稱...
場效應電晶體(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體.它屬於電壓控制型半導體器件.特點 具有輸入電阻高(100000000~1000000000Ω)、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿...
功率MOS場效應電晶體,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field Effect Transistor場效應電晶體),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應電晶體。分類 ...
無結場效應電晶體(Junctionless Field Effect Transistor, JLT)是場效應電晶體的一種,由源極、漏極及中間的金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor, MOS)電容結構構成。與傳統的金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(Metal-Oxide-...
FinFET被稱為鰭式場效應電晶體,是一種新的互補式金屬氧化物半導體電晶體。該項技術的發明人是加州大學伯克利分校的胡正明教授。如右圖所示,FinFeT與平面型MOSFET結構的主要區別在於其溝道由絕緣襯底上凸起的高而薄的鰭構成,源漏兩極...
功率場效應電晶體(VF)又稱VMOS場效應管。在實際套用中,它有著比電晶體和MOS場效應管更好的特性。優點 即是在大功率範圍套用的場效應電晶體,它也稱作功率MOSFET,其優點表現在以下幾個方面:1. 具有較高的開關速度。2. 具有較寬...
場效[應]電晶體 場效[應]電晶體(field effect transistor)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
鐵電場效應電晶體也就是鐵電介質柵極場效應電晶體(MFSFET,Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET):這是在MOSFET的基礎上,把柵極SiO2絕緣材料更換為高介電常數的鐵電材料即得。材料簡介 因為MOSFET的飽和電流與柵極絕緣體材料的介電常數...
結型場效應電晶體(Junction Field-Effect Transistor,JFET)JFET是在同一塊N形半導體上製作兩個高摻雜的P區,並將它們連線在一起,所引出的電極稱為柵極g,N型半導體兩端分別引出兩個電極,分別稱為漏極d,源極s。結型場效應電晶體...
瑞士科學家表示,到2017年,利用量子隧道效應研製出的隧道場效應電晶體有望將計算機和手機的能耗減少到百分之一。瑞士洛桑理工大學的科學家阿德里安·約內斯庫在為英國《自然》雜誌撰寫的一篇文章中提出了上述看法,該文章是《自然》雜誌有...
量子線場效應電晶體,電子器件。量子線場效應電晶體,Quantum line FET(QL-FET):這是採用導電的量子線作為導電溝道的一種場效應電晶體。其特點是:(1)量子線中一維電子氣的遷移率將隨著電子濃度的增加而大大提高,從而使得QL-FET...
離子敏場效應電晶體(Ion sensitive field effect transistor ISFET) 是一種微電子離子選擇性敏感元件,兼有電化學和電晶體的雙重特性。ISFET以其敏感區面積小、回響快、靈敏度高、輸出阻抗低、樣品消耗量少、易於批量製造和成本低等...
電晶體是現代電器的最關鍵的元件之一。電晶體之所以能夠大規模使用是因為它能以極低的單位成本被大規模生產。釋義 電晶體泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料製成的二極體、三極體、場效應管、晶閘管(後三者均為三...
金屬氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效應電晶體是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效應電晶體。效應管 金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,...
有機電子器件一般為薄膜形式的器件,因此有機場效應電晶體也被稱為有機薄膜電晶體(OrganiCThinFilmTransistor,OTFT),其結構和工作機制與a一51:HTFT相似。就結構而言,根據柵電極的位置,常見的OTFT可分為頂柵結構和底柵結構兩類。1 有機...
氮化鎵場效應電晶體(Gallium Nitride Field-effect Transistor)是一類以氮化鎵以及鋁氮化鎵為基礎材料的場效應電晶體。由於氮化鎵材料具有好的散熱性能、高的擊穿電場、高的飽和速度,氮化鎵場效應電晶體在大功率高頻能量轉換和高頻微波通訊等...
有機場效應電晶體(OFET)最初由J.E. Lilienfeld提出,他於1930年獲得了他的想法的專利。他提出場效應電晶體表現為在源極和漏極之間具有導電溝道的電容器。柵電極上的施加電壓控制流過系統的電荷載流子的量。第一個場效應電晶體是由...
有機場效應電晶體(Organic field-effect transistor, OFET)是一種利用有機半導體組成信道的場效應電晶體。OFET的原料分子通常是含有芳環的π電子共軛體系。OFET的製造工藝有小分子在真空中蒸發、聚合物溶液澆注、將原料單晶剝離至基板等...
金屬氧化物半導體場效應管(英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),簡稱金氧半場效電晶體,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。基本信息 金屬氧化物半導體場效應管依照其“溝道”極性的不同...
電力場效應管又名電力場效應電晶體分為結型和絕緣柵型,通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱電力MOSFET(Power MOSFET),結型電力場效應電晶體一般稱作靜電感應電晶體(Static Induction Transistor——SIT...
MES場效應管是場效應電晶體之一。產品簡介 MES場效應管(用金屬與半導體接觸構成柵極);其中MOS場效應管使用最廣泛。尤其在大規模積體電路的發展中,MOS大規模積體電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波電晶體上。出處 半導體...
絕緣柵型場效應管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效應管依照其溝道極性的不同,可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型,通常被稱為N型金氧半場效電晶體(NMOSFET)與P型金氧...
全柵極場效應電晶體 全柵極場效應(GAAFET)電晶體為多橋通道場效應電晶體,但這只是電晶體的一個技術名稱,它背後的優勢才是關鍵:功率減少50%,占用的空間減少45%,並能在極低電壓下更穩定地運行。
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管 全稱 : positive channel Metal Oxide Semiconductor 別名 : positive MOS 金屬氧化物半導體場效應(MOS)電晶體可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道矽MOS場效應電晶體在N型矽襯底...
MESFET(Metal-Semiconductor Field Effect Transistor),是金屬-半導體[接觸勢壘]場效應電晶體的英文簡稱,主要是硼離子的一種反應。基本概念 MESFET是一種由Schottky勢壘柵極構成的場效應電晶體。它與p-n結型柵場效應電晶體相比,只是用...
採用CMOS技術可以將成對的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)集成在一塊矽片上。該技術通常用於生產RAM和交換套用系統,在計算機領域裡通常指保存計算機基本啟動信息(如日期、時間、啟動設定等)的RAM晶片。CMOS由PMOS管和NMOS管共同...
場效應管柵極 場效應管根據三極體的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐,屬於電壓控制型器件。場效應電晶體(FieldEffectTransistor縮寫(FET))...
MOS積體電路是以金屬-氧化物-半導體(MOS)場效應電晶體為主要元件構成的積體電路 。簡稱MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場效應電晶體。直到1968年解決了MOS器件的穩定。MOS積體電路是一種常用的積體電路。最小單元是反相器,由兩隻金屬一氧化...