場效[應]電晶體(field effect transistor)是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名:場效[應]電晶體
- 外文名:field effect transistor
- 所屬學科:電氣工程
- 公布時間:1998年
場效[應]電晶體(field effect transistor)是1998年公布的電氣工程名詞。
場效[應]電晶體 場效[應]電晶體(field effect transistor)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
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MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。產品簡介 一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體,或者稱...
場效應[晶體]管 場效應[晶體]管(field-effect transistor)是2019年公布的物理學名詞,出自《物理學名詞》第三版。公布時間 2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
場效應電晶體(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體.它屬於電壓控制型半導體器件.特點 具有輸入電阻高(100000000~1000000000Ω)、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊...
N溝[道]場效[應]電晶體 N溝[道]場效[應]電晶體(N-channel field effect transistor)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
功率MOS場效應電晶體,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field Effect Transistor場效應電晶體),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應電晶體。分...
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FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鰭式場效應電晶體,是一種新的互補式金氧半導體電晶體。FinFET命名根據電晶體的形狀與魚鰭的相似性。其電子顯微鏡照片如左圖所示。FinFET源自於傳統標準的電晶體—場效應電晶體(Field-...
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離子敏場效應電晶體(Ion sensitive field effect transistor ISFET) 是一種微電子離子選擇性敏感元件,兼有電化學和電晶體的雙重特性。ISFET以其敏感區面積小、回響快、靈敏度高、輸出阻抗低、樣品消耗量少、易於批量製造和成本低等...
效應管 金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效應管依照其溝道極性的...
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全柵極場效應電晶體 全柵極場效應(GAAFET)電晶體為多橋通道場效應電晶體,但這只是電晶體的一個技術名稱,它背後的優勢才是關鍵:功率減少50%,占用的空間減少45%,並能在極低電壓下更穩定地運行。
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超導場效應電晶體是一種利用超導溝道導電的絕緣柵場效應電晶體。超導場效應電晶體,Superconductor FET(SFET): 這是一種利用超導溝道導電的絕緣柵場效應電晶體。它的源極和漏極的電極接觸金屬是超導體In(見圖示)。由於超導體的...
電力MOS場效電晶體 電力MOS場效電晶體(power metal-oxide-semiconductor field effect transistor)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
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雙柵場效電晶體 雙柵場效電晶體(dual gate field effect transistor)是1993年公布的電子學名詞,出自《電子學名詞》第一版。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。