氮化鎵場效應電晶體

氮化鎵場效應電晶體（Gallium Nitride Field-effect Transistor）是一類以氮化鎵以及鋁氮化鎵為基礎材料的場效應電晶體。由於氮化鎵材料具有好的散熱性能、高的擊穿電場、高的飽和速度，氮化鎵場效應電晶體在大功率高頻能量轉換和高頻微波通訊等方面有著遠大的套用前景。

氮化鎵場效應電晶體（GalliumNitrideField-effectTransistor）是一類以氮化鎵以及鋁氮化鎵為基礎材料的場效應電晶體。由於氮化鎵材料具有好的散熱性能、高的擊穿電場、高的飽和速度，氮化鎵場效應電晶體在大功率高頻能量轉換和高頻微波通訊等方面有著遠大的套用前景。目前，以氮化鎵製備出了金屬場效應電晶體（MESFET）、異質結場效應電晶體(HFET)、調製摻雜場效應電晶體（MODFET）等新型器件。

與其同等的矽場效應電晶體相比，氮化鎵場效應電晶體具有柵極電容較低、柵極驅動電壓較低和額定電壓能力較高等優勢。2010年，國際整流器公司推出行業首個商用功率級氮化鎵場效應電晶體產品。隨後，德州儀器、貝克瓦特集團、恩智浦半導體等公司也先後推出了採用氮化鎵場效應電晶體的數字電源轉換解決方案。