電力MOS場效電晶體(power metal-oxide-semiconductor field effect transistor)是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名:電力MOS場效電晶體
- 外文名:power metal-oxide-semiconductor field effect transistor
- 所屬學科:電氣工程
- 公布時間:1998年
電力MOS場效電晶體(power metal-oxide-semiconductor field effect transistor)是1998年公布的電氣工程名詞。
電力場效應電晶體(PowerMOSFET)是用柵極電壓來控制漏極電流。場效應電晶體分為兩種類型,結型和絕緣柵型,但通常所說的是絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱電力MOSFET(Power MOSFET)。P-MOSFET是用柵極電壓來...
電力MOS場效電晶體 電力MOS場效電晶體(power metal-oxide-semiconductor field effect transistor)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。產品簡介 一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體,或者稱...
場效應電晶體可分為結場效應電晶體和MOS場效應電晶體,而MOS場效應電晶體又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類.見下圖:主要參數 IDSS—飽和漏源電流.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流.Up...
絕緣柵場效應電晶體中,常用二氧化矽(Si)為金屬柵極和半導體之間的絕緣層即金屬一氧化物半導體,簡稱MOS(meta-loxide-semconuctor)管,因此絕緣柵場效應電晶體又稱MOSFET。它有N溝道和P溝道兩類,而每一類又分增強型和耗盡型兩種。增強...
但是與Si材料相比,GaN材料更加難於製成電力電子技術所必需的常關型開關電晶體,這是科技界與企業界公認的科技難點。本項目以研發具有自主智慧財產權的高性能GaN 基常關型場效應電晶體核心技術為目標,以期解決在器件製備過程中的關鍵技術...
MOS積體電路是以金屬-氧化物-半導體(MOS)場效應電晶體為主要元件構成的積體電路 。簡稱MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場效應電晶體。直到1968年解決了MOS器件的穩定。MOS積體電路是一種常用的積體電路。最小單元是反相器,由兩隻金屬一氧化...
MES場效應管是場效應電晶體之一。產品簡介 MES場效應管(用金屬與半導體接觸構成柵極);其中MOS場效應管使用最廣泛。尤其在大規模積體電路的發展中,MOS大規模積體電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波電晶體上。出處 半導體...
《源漏具有復肖特基勢壘的MOS場效應電晶體的研究》是依託北京大學,由孫雷擔任負責人的面上項目。項目摘要 肖特基源漏器件是當前微電子器件研究中的熱點問題,其中的重要考量即是對源漏矽化物材料的選擇。本課題以增強肖特基源漏器件特性...
場效[應]電晶體 場效[應]電晶體(field effect transistor)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
PMOS積體電路是一種適合在低速、低頻領域內套用的器件。PMOS積體電路採用-24V電壓供電。MOS場效應電晶體具有很高的輸入阻抗,在電路中便於直接耦合,容易製成規模大的積體電路。各種場效應管特性比較 在2004年12月的國際電子器件會議(IEDM)...
按導電方式:耗盡型與增強型,結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。場效應電晶體可分為結場效應電晶體和MOS場效應電晶體,而MOS場效應電晶體又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類.3....
以P溝道MOS場效應電晶體為基本元件的積體電路,簡稱PMOS。,襯底是N型矽片,柵為金屬鋁。兩個鄰近的P型擴散區和跨於兩擴散區的鋁柵,連同襯底構成一個P溝道MOS電晶體,鋁柵PMOS電路中各元件之間,可用與鋁柵同時形成的鋁線或與源、漏...