《氧化物半導體薄膜電晶體的模型及參數提取方法研究》是依託華南理工大學，由姚若河擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：氧化物半導體薄膜電晶體的模型及參數提取方法研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：姚若河
- 依託單位：華南理工大學
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
隨著氧化物半導體薄膜電晶體研究的深入和製備工藝的成熟，氧化物半導體薄膜電晶體器件逐漸推向套用。研究建立氧化物半導體薄膜電晶體的模型及給出相應的參數提取方法對氧化物半導體薄膜電晶體積體電路的設計及製造都具有重要的意義。通過研究載流子在氧化物中的電導機理，分析柵壓和溫度對載流子遷移率的影響；分析有源層的陷阱態密度，研究其空間電荷的分布；分析陷阱態密度對低頻噪聲的影響；對氧化物半導體薄膜電晶體器件的結構、參數與物理效應之間的關係進行表征；建立適用於電路仿真器的氧化物半導體薄膜電晶體器件的直流模型和交流模型；建立包括熱效應的氧化物半導體薄膜電晶體器件性能退化模型；研究與模型相對應的器件參數提取方法；並通過對典型樣品的實際測量數據對模型進行驗證和最佳化。
結題摘要
隨著氧化物半導體薄膜電晶體研究製備工藝的成熟，氧化物半導體薄膜電晶體器件逐漸推向套用, 其不僅更適用於平板顯示器的背板驅動電路，還可用於印刷電子技術、虛擬現實技術、物聯網技術等新興領域。研究建立氧化物半導體薄膜電晶體的模型及給出相應的參數提取方法對氧化物半導體薄膜電晶體積體電路的設計及製造都具有重要的意義。課題研究了載流子在氧化物中的電導機理及TFT中柵壓和溫度對載流子遷移率的影響；表征了氧化物半導體薄膜電晶體器件的結構、參數與物理效應之間的關係；根據a-IGZO TFT的電機制，給出a-IGZO TFT的一個新的閾值電壓定義；建立適用於電路仿真器的氧化物半導體薄膜電晶體的器件模型及給出了器件參數的提取方法；研究了製備工藝條件與參數對氧化鋅薄膜電晶體器件性能的影響及其機理；研究了ZnO TFT在柵應力、源漏電壓應力作用下器件不穩定性及其機理，形成了一套獲得高性能ZnO TFT的製備技術與方法，揭示了ZnO TFT電應力效應的形成機理，並通過器件結構和工藝最佳化有效提高了該類器件在電應力作用下的穩定性。
