《薄膜電晶體原理及套用》以非晶矽薄膜電晶體(aSi TFT)和多晶矽薄膜電晶體(pSi TFT)為例詳細講解了與TFT技術相關的材料物理、器件物理和製備工藝原理及其在平板顯示中的套用原理等。
基本介紹
- 中文名:薄膜電晶體原理及套用
- 作者:董承遠
- 出版社:清華大學出版社
- ISBN:9787302430001
《薄膜電晶體原理及套用》以非晶矽薄膜電晶體(aSi TFT)和多晶矽薄膜電晶體(pSi TFT)為例詳細講解了與TFT技術相關的材料物理、器件物理和製備工藝原理及其在平板顯示中的套用原理等。
第1章簡單介紹了薄膜電晶體的發展簡史; 第2章詳細闡述了TFT在平板顯示有源矩陣驅動中的套用原理; 第3章深入講解了薄膜電晶體相關的半導體、絕緣體和電極材料物理; 第4章詳細闡述了非晶矽TFT和多晶矽TFT器件物理的相關基礎知識; 第5...
原理 TFT-LCD(薄膜電晶體液晶顯示器, Thin film transistor liquid crystal display)是多數液晶顯示器的一種,它使用薄膜電晶體技術改善影象品質。雖然TFT-LCD被統稱為LCD,不過它是種主動式矩陣LCD。它被套用在電視、平面顯示器及投影...
《薄膜電晶體液晶顯示(TFT LCD)技術原理與套用》是2022年電子工業出版社出版的圖書。內容簡介 本書基於作者在薄膜電晶體液晶顯示器領域的開發實踐與理解,並結合液晶顯示技術的**發展動態,首先介紹了光的偏振性及液晶基本特點,然後依次...
氧化物薄膜電晶體和非晶矽薄膜電晶體的主要區別是電子通道的材料是氧化物而不是非晶矽。常用的襯底為二氧化矽。薄膜電晶體主要套用於液晶顯示器(LCD)和有機發光半導體(OLED)中。在傳統的電晶體中,半導體材料為襯底,如晶圓。薄膜晶體...
第5章 薄膜電晶體在有源矩陣液晶顯示中的套用 5.1 有源矩陣的設計與製造 5.1.1 AMLCD中TFT和陣列要求 5.1.2 存儲電容結構 5.1.3 電過應力(EOS)與靜電放電(ESD)保護 5.1.4 陣列測試 5.1.5 TFT陣列中的缺陷與修復 5....
第6章 薄膜電晶體電路的套用 231 6.1 顯示和液晶天線面板的柵極驅動電路 231 6.2 二維液晶天線的單元充、放電電路 234 6.3 AMOLED顯示面板的像素電路 238 6.3.1 AMOLED像素電路的基本原理 238 6.3.2 AMOLED像素電路的補償 239...
《異質結構氧化物薄膜的構築及其在薄膜電晶體中的套用》是依託上海大學,由李俊擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 氧化物TFT因具有高遷移率、低溫製程、透過率高等優點,成為推動AM-OLED發展的關鍵性技術之一。針對當前氧化物薄膜...
隨著新材料、新工藝的不斷湧現,和信息電子器件向大尺寸、柔性發展的需求,薄膜電晶體的套用已不局限於平板顯示中的像素開關,而在更多功能的數字/模擬電路中得到套用。此項目以探討柵控源結構薄膜電晶體的器件工藝、物理機制和電路套用為...
1.8 立體顯示技術原理 21 1.8.1 雙眼視差 21 1.8.2 立體顯示技術分類 23 1.8.3 眼鏡式3D顯示技術 24 1.8.4 裸眼3D顯示技術 28 1.8.5 3D顯示的主要問題 33 第2章 氫化非晶矽薄膜電晶體材料與器件特性 34 2.1 氫化...
透明電子學在各種新型光/電子產品中的研究和套用對開創新型工業、增加就業機會以及提供更有效更經濟的消費品方面都將有重大影響。結題摘要 全透明氧化物薄膜電晶體是當前半導體技術領域的研究熱門課題之一。21世紀以來,透明電子材料受到國內...
但是,目前MO-TFT仍然面臨電學和光學性能不穩定的問題,限制了其產業化套用,需要從材料、器件結構及薄膜界面等方面進行深入的基礎研究,才有可能從根本上解決這一瓶頸問題。為此,該申請項目擬研究MO-TFT穩定性的機理問題,重點研究MO材料...
全書共7章,全面介紹了平板顯示器中核心驅動元件——多元非晶氧化物薄膜電晶體(TFT)的原理、結構、表征,以及其在超高清大屏顯示、3D顯示、透明顯示、柔性顯示等新一代顯示技術中的套用優勢,反映了當前多元非晶氧化物的性能、製備技術及...
《一維納米材料基柔性薄膜電晶體的製作與性能研究》是依託北京大學,由付磊擔任負責人的青年科學基金項目。項目摘要 下一代的電子器件需要能在較大面積及多種基底上無所不在、隨時隨地進行計算,薄膜電晶體的重要作用會逐漸彰顯。有機薄膜...
《多晶矽薄膜電晶體的建模及特性研究》是依託華南理工大學,由姚若河擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 根據多晶矽特性來建立Poly-Si TFT的表面勢隱含方程,利用Lambert W函式來求解Poly-Si TFT的表面勢隱含方程。同時利用Shroder級數最佳化和...
第5章薄膜電晶體物理、性能及其製造工藝 5.1薄膜電晶體的工作原理和結構 5.1.1半導體表面物理 5.1.2絕緣柵場效應電晶體 5.2氫化非晶態矽TFT的結構和工藝 5.2.1aSi:H材料 5.2.2aSi:H TFT的結構 5.3多晶矽TFT...
本項目的實施一方面將極大加深對a-IGZO TFT這一新型半導體器件電學特性和工作機理的認識,另一方面將為其實際套用打下堅實的實驗和理論基礎。結題摘要 非晶InGaZnO 薄膜電晶體(a-IGZO TFT)具有高遷移率、低漏電流、透明、柔性和製造工藝...
《薄膜電晶體(TFT)陣列製造技術》是2007年09月復旦大學出版社出版的圖書,作者是谷至華。這本書主要介紹非晶矽(amorphoussilicon,a-Si)TFT陣列大規模生產的製造技術。內容提要 高質量的平板顯示器的核心是薄膜電晶體(Thinfilmtransistor,...
第1章 薄膜電晶體(TFT)用於平板顯示 1 1.1 TFT用於液晶平板顯示 1 1.1.1 LCD顯示技術原理 1 1.1.2 矩陣顯示 6 1.1.3 AMLCD顯示技術對TFT特性的要求 9 1.2 TFT用於OLED平板顯示 11 1.2.1 有機發光二極體(OLED) ...
《雙柵非晶InGaZnO非易失性薄膜電晶體存儲器的研究》是依託東南大學,由黃曉東擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 非晶InGaZnO難以反型的特點造成當前薄膜電晶體存儲器(TFTM)擦除效率低及存儲視窗小等問題,為此,提出一種雙柵結構...
《p型氧化物透明薄膜電晶體的研製》是依託北京交通大學,由王永生擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 氧化物TFT由於具有遷移率大、開口率高,被學術界認為是替代目前顯示器中套用最廣的a-Si TFT的理想候選開關元件。為解決當前p型氧化...