金屬-半導體場效電晶體（metal-semiconductor field effect transistor）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：金屬-半導體場效電晶體
- 外文名：metal-semiconductor field effect transistor
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
公布時間,出處,
公布時間
1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《電子學名詞》第一版。
金屬-半導體場效電晶體（metal-semiconductor field effect transistor）是1993年公布的電子學名詞。
金屬-半導體場效電晶體（metal-semiconductor field effect transistor）是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第...
場效應管 場效應管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。場效應電晶體有時被稱為“單極性電晶體”，以...
場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為...
MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應電晶體，簡稱金氧半場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。產品簡介 一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱...
金屬氧化物半導體場效應管（英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），簡稱金氧半場效電晶體，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。基本信息 金屬氧化物半導體場效應管依照其“溝道”極性的不同...
場效應電晶體（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體.它屬於電壓控制型半導體器件.特點 具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿...
金屬–氧化物–半導體電晶體，用平面技術製造的一種場效應電晶體。用途 簡稱MOS場效應電晶體。平面技術是用一系列半導體工藝將電晶體、元件、導線等都做在矽平面上（見積體電路）。場效應電晶體包括源極、漏極、柵極和連線源漏的溝道。...
多閘極電晶體指的是集合了多個閘極於一體的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。可以用一個電極來同時控制多閘極，亦可用多個電極單獨控制各閘極。後者有時又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor(MIGFET)。多閘極...
MES場效應管是場效應電晶體之一。產品簡介 MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用最廣泛。尤其在大規模積體電路的發展中,MOS大規模積體電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波電晶體上。出處 半導體...
場效應管生物感測器(field effect transistor biosensor)，又稱半導體生物感測器(semiconductive biosensor)，或生物場效應電晶體感測器[field-effect transistor(FET) biosensor,BioFET ]。它是基於金屬(metal)-氧化物(oxide)- 半導體(...
本書系統深入地闡述了各種類型場效應電晶體的工作原理、靜態特性、高頻性能、功率性能及噪聲性能等．全書共十二章，第一至六章為結型場效應電晶體和金屬-半導體場效應電晶體；第七至十一章為金屬-氧化物-半導體場效應電晶體；第十二章...
SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理製作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極體或表面勢壘二極體，它是一種熱載流子二極體。正嚮導通壓降僅0.4V左右，而整流...
絕緣柵場效應管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但套用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應管也即金屬一氧化物一半導體場效應管，通常用MOS表示，簡稱作MOS管。它具有比結型場效應管更高的輸入阻抗（可達1012Ω以上），並且製造...
由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。金屬氧化物半導體場效應管 金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；...
功率MOS場效應電晶體，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應電晶體），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應電晶體。分類 ...
鐵電場效應電晶體也就是鐵電介質柵極場效應電晶體（MFSFET，Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET）：這是在MOSFET的基礎上，把柵極SiO2絕緣材料更換為高介電常數的鐵電材料即得。材料簡介 因為MOSFET的飽和電流與柵極絕緣體材料的介電常數...
由於點接觸型電晶體製造工藝複雜，致使許多產品出現故障，它還存在噪聲大、在功率大時難於控制、適用範圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種“整流結”來代替金屬半導體接點的大膽構想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的...
根據柵的結構,場效應電晶體可以分為三種：①結型場效應管(用PN結構成柵極)；②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）；③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用最廣泛。
1987年， Koezuka及其同事報導了第一種基於噻吩分子聚合物的有機場效應電晶體。噻吩聚合物是一種能夠傳導電荷的共軛聚合物，無需使用昂貴的金屬氧化物半導體。另外，已經顯示其他共軛聚合物具有半導體特性。OFET設計在過去幾十年中也有所...
1970年Bergveld將普通的金屬一氧化物一半導體場效應電晶體(MOS-FET)去掉金屬柵極，讓絕緣體(SiOz)與溶液直接接觸，得到的源漏電流與回響離子的濃度呈線性關係，這就是世界上第一個ISFET，從此揭開了ISFET研究的序幕。隨後美國、日本和...
JEET）、金屬氧化物半導體效應電晶體（MOSFET）、肖特基勢壘控制柵場效應電晶體（SB）、金屬半導體場效應電晶體（MES）、高電子遷移率電晶體（HEMT）、靜電感應電晶體（SIT）、絕緣柵雙極電晶體（IGBT）等屬於場效應電晶體系列的單管、...
1987年， Koezuka及其同事報導了第一種基於噻吩分子聚合物的有機場效應電晶體。噻吩聚合物是一種能夠傳導電荷的共軛聚合物，無需使用昂貴的金屬氧化物半導體。另外，已經顯示其他共軛聚合物具有半導體特性。OFET設計在過去幾十年中也有所...
華瑞MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。華瑞公司簡介 CET華瑞成立於1984年，是國內最具競爭力之功率半導體製造廠。本公司已取得多項產品發明專利，並經ISO...
砷化鎵半導體材料禁頻寬，工作溫度高，抗輻射能力強。砷化鎵器件在速度和集成度方面均可達到射極耦合邏輯器件的水平，而功耗比射極耦合邏輯器件低。砷化鎵存儲信息的單元是砷化鎵-金屬-半導體場效應管構成。砷化鎵-金屬-半導體場效應管的工作...
(Metal-Oxide-Semiconductor)MOS電晶體，分別叫PMOS管和NMOS管。由 MOS管構成的積體電路稱為MOS積體電路，而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS積體電路即為 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。電路特佂 主要封裝形式 ...
金屬一絕緣體一半導體結構(簡稱MIS結構)，如圖1所示。以氧化物(例如矽的氧化物Sioz)作為絕緣體，就叫MOS結構。MOS是構成電晶體的基本結構。在金屬端加正電壓(稱為控制極電壓)時，取作V>O。圖1中表示V=O時，n型/p型半導體的理想...
C-V特性曲線（電容電壓特性曲線）是用來測量半導體材料和器件的一種方法。該測量方法可以得到關於半導體摻雜，晶體缺陷之類的特性。套用 當所加電壓改變時，電容被測出。該方法是使用金屬-半導體結（肖特基勢壘）或者PN結或者場效應管來得到...
場效電晶體（Field effect transistor、FET）結型場效應管（Junction Field Effect Transistor、JFET） - N-溝道或 P-溝道 金氧半場效電晶體（Metal Oxide Semiconductor FET、MOSFET） - N-溝道或 P-溝道 金屬半導體場效應管（MESFET...
6.2 結型場效應電晶體 179 6.2.1 夾斷和飽和 180 6.2.2 柵的控制作用 181 6.2.3 電流-電壓特性 182 6.3 金屬-半導體場效應電晶體 184 6.3.1 GaAs金屬-半導體場效應電晶體 184 6.3.2 高電子遷移...