基本介紹
- 中文名:摻雜
- 拼音:chān zá
- 類型:動詞
- 釋義:攙雜
摻雜是指多種物質混雜在一起,在化工、材料等領域中,摻雜通常是指為了改善某種材料或物質的性能,有目的在這種材料或基質中,摻入少量其他元素或化合物。摻雜可以使...
摻雜法是指多種物質混雜在一起的加工手段,在化工、材料等領域中,摻雜通常是指為了改善某種材料或物質的性能,有目的在這種材料或基質中,摻入少量其他元素或化合物...
化學摻雜是結構型導電聚合物摻雜的主要手段之一。其過程是利用氧 化還原試劑直接與聚合物進行氧化還原反應,改變聚合物的 簡電狀態。...
摻雜程度(doping level)是指在無機半導體中,雜質原子取代主原子位置的過程。...... 摻雜程度(doping level)是指在無機半導體中,雜質原子取代主原子位置的過程。...
摻雜技術(Doping Proces) 是將所需的雜質以定的方式摻入到半導體基片規定的區城內,井達到規定的數量和符合要求的分布,以達到改變材料電學性質、製造PN結、互連線...
摻雜效應是指當氧化物中摻入另一種價態不同的陽離子時,由於陽離子之間的相互作用和電荷重新分布,使氧化物中的離子缺陷濃度和電子缺陷濃度發生變化。...
去摻雜是摻雜的逆過程,目的是消除摻雜作用和影響...... 摻雜dedoping;undoping摻雜的逆過程,目的是消除摻雜作用和影響。去摻雜主要有三種方法:(1)如果摻雜劑是揮發...
半導體的常用摻雜技術主要有兩種,即高溫(熱)擴散和離子注入。摻入的雜質主要有兩類:第一類是提供載流子的受主雜質或施主雜質(如Si中的B、P、As);第二類是產生...
調製摻雜是指在具有量子效應的半導體異質結的一種材料中摻入n型或P型雜質原子,另一種材料不摻雜,稱為調製摻雜。它能使載流子在空間上與其母體分離,獲得很高的遷移...
電化學摻雜是以電極為介質,提供(n型摻雜)或者接收(p型摻雜)電子,作為氧化或還原手段,從而改變共軛聚合物的荷電狀態,達到提高其導電能力的目的。...
中文名稱 自摻雜 英文名稱 autodoping,self-doping 定義 在外延生長工藝中,來自襯底的摻雜雜質摻入到外延層中。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體材料(...
摻雜過程實質上是導電聚合物的一個氧化或還原過程,所使用的氧化劑或還原劑在摻雜過程中稱為摻雜劑[1] 。...
摻雜鎢絲,通常也稱抗下垂鎢絲、鎢鋁絲,其主要特徵是在鎢中添加了彌散強化元素鉀,形成了“燕尾搭接”狀的互鎖內部晶粒結構,從而提高了鎢絲的抗高溫蠕變性能。...
重摻雜指的是摻入半導體材料中的雜質量比較多。...... 重摻雜指的是摻入半導體材料中的雜質量比較多。如矽單晶中雜質濃度達到大於每立方厘米存有10^18個原子。詞...
【英:Doping】矽(或鍺)的導電性會因為在純淨半導體材料中加入雜質而明顯增強。這個摻雜過程是使載流子(電子或空穴)的數量增加,從而增強了導電性、減小了阻礙性。...
摻雜氣體(Dopant Gases) 氣體工業名詞,在半導體器件和積體電路製造中,將某種或某些雜質摻入半導體材料內,以使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率,用來製造PN結,...
2015年12月18日,從中科院上海矽酸鹽所獲悉,該所科學家已研製出一種高性能超級電容器電極材料——氮摻雜有序介孔石墨烯。 氮摻雜有序介孔石墨烯具有極佳的電化學...
摻雜晶體doped crystal為得到所期望的物理性質,常需要在晶體中摻人雜質元素。例如在半導體矽中摻人一定量的磷,得到n型半導體;摻人一定量的鋁或稼,得到p型半導體。...
化學氣相摻雜是指在化學氣相沉積((CVD)薄膜的同時通過氣相將雜質元素摻入薄膜的工藝。許多薄膜要求適當摻入一定量的雜質以達到改性的目的,如半導體薄膜在摻入施主...
摻雜光纖(Doped Optical Fiber)就是向光纖纖芯摻入雜質。近幾年來,發現向光纖纖芯摻雜(如摻雜稀土元素離子),會導致光纖產生改性,出現諸多有意義的光效應,並促使...
良莠摻雜編輯 鎖定 本詞條缺少名片圖,補充相關內容使詞條更完整,還能快速升級,趕緊來編輯吧!指好人壞人都有。中文名 良莠摻雜 讀音 liangyouchanza 近義詞 良莠...
等電子摻雜是指與被替代的基體原子具有相同價電子結構的替代原子的摻雜。等電子雜質雖然是電中性的,但由於其原子半徑及電負性與被替代原子不同,因此產生的短程勢起...
定義 採用離子注入方式達到摻雜的目的。 ...... 定義 採用離子注入方式達到摻雜的目的。詞條標籤: 科學 V百科往期回顧 詞條統計 瀏覽次數:次 編輯次數:2次歷史版...
離子注入摻雜工藝正文 編輯 將加速到一定高能量的離子束注入固體材料表面層內,以改變表面層物理和化學性質的工藝。在半導體中注入相應的雜質原子(如在矽中注入硼、...
採用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導體與N型半導體製作在同一塊半導體(通常是矽或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結(英語:PN junction)...