摻雜法是指多種物質混雜在一起的加工手段,在化工、材料等領域中,摻雜通常是指為了改善某種材料或物質的性能,有目的在這種材料或基質中,摻入少量其他元素或化合物。 摻雜法可以使材料、基質產生特定的電學、磁學和光學等性能,從而使其具有特定的價值或用途。
摻雜法是指多種物質混雜在一起的加工手段,在化工、材料等領域中,摻雜通常是指為了改善某種材料或物質的性能,有目的在這種材料或基質中,摻入少量其他元素或化合物。 摻雜法可以使材料、基質產生特定的電學、磁學和光學等性能,從而使其具有特定的價值或用途。
摻雜法是指多種物質混雜在一起的加工手段,在化工、材料等領域中,摻雜通常是指為了改善某種材料或物質的性能,有目的在這種材料或基質中,摻入少量其他元素或化合物...
摻雜技術(Doping Proces) 是將所需的雜質以定的方式摻入到半導體基片規定的區城內,井達到規定的數量和符合要求的分布,以達到改變材料電學性質、製造PN結、互連線...
化學摻雜是結構型導電聚合物摻雜的主要手段之一。其過程是利用氧 化還原試劑直接與聚合物進行氧化還原反應,改變聚合物的 簡電狀態。...
化學氣相摻雜是指在化學氣相沉積((CVD)薄膜的同時通過氣相將雜質元素摻入薄膜的工藝。許多薄膜要求適當摻入一定量的雜質以達到改性的目的,如半導體薄膜在摻入施主...
摻雜晶體doped crystal為得到所期望的物理性質,常需要在晶體中摻人雜質元素。例如在半導體矽中摻人一定量的磷,得到n型半導體;摻人一定量的鋁或稼,得到p型半導體。...
中子摻雜是採用中子輻照的辦法來對材料進行摻雜的一種技術,其最大優點就是摻入的雜質濃度分布非常均勻。...
中文名稱 離子束摻雜 英文名稱 ion beam doping 定義 把某種元素的離子,強制注入固體表面獲得均勻的一種半導體摻雜方法。 套用學科 材料科學技術(一級學科),材料...
直接摻雜型導電高分子 直接摻雜指在摻雜過程中利用物理手段直接改變聚合物的荷電狀態,或者氧化還原狀態,而沒有加人實際添加物質,如利用電極電勢的電化學摻雜和利用光...
摻雜是指多種物質混雜在一起,在化工、材料等領域中,摻雜通常是指為了改善某種材料或物質的性能,有目的在這種材料或基質中,摻入少量其他元素或化合物。摻雜可以使...
光化學摻雜photochemical doping指光碟機動摻雜過程,這種摻雜方法主要用於光導體。...... 光化學摻雜photochemical doping指光碟機動摻雜過程,這種摻雜方法主要用於光導體。...
摻雜鎢絲,通常也稱抗下垂鎢絲、鎢鋁絲,其主要特徵是在鎢中添加了彌散強化元素鉀,形成了“燕尾搭接”狀的互鎖內部晶粒結構,從而提高了鎢絲的抗高溫蠕變性能。...
簡介指使用氧化或者還原性物質直接加人被摻雜物質中去,與其發生氧化或還原反應.從而改變其荷電狀態,提高其導電能力的導電聚合物。合成由十導電體是止兩種以上物質複合...
半導體核嬗變摻雜是用一定能量的中子、帶電粒子或γ射線等照射材料,通過選擇的核反應在基體中生成原來不存在的新元素,達到半導體材料的摻雜目的。目前,只有中子嬗變...
稀土摻雜光纖不僅能用於光信號的放大,還能用於製作光纖雷射器和光纖感測器等光纖器件。同時基於稀土摻雜的各種光纖器件以及光電子器件的套用也從光纖通信延伸到感測、...
7-8摻雜方法有哪幾種?1187-9拉單晶時會出現哪些不正常現象?1197-10直拉法和區熔法生產單晶矽各有哪些缺點?1207-11單晶矽是必須要以多晶矽為原料嗎?120...
7-8 摻雜方法有哪幾種?1237-9 拉單晶時會出現哪些不正常現象?1247-10 直拉法和區熔法生產單晶矽各有哪些缺點?1247-11 單晶矽是必須要以多晶矽為原料嗎?125...