摻雜晶體doped crystal為得到所期望的物理性質，常需要在晶體中摻人雜質元素。例如在半導體矽中摻人一定量的磷，得到n型半導體;摻人一定量的鋁或稼，得到p型半導體。左Y2f)，中摻入Eu-i離子可以得到發紅光的螢光材料;摻入Th'卜則可以得到發綠光的螢光材料。參雜的方法很多，平導體常利用在一定氣氛下退火的辦法或離子注人法摻雜。螢光材料的摻雜需要將基質和摻雜物質均勻混合，經高溫處理得到均勻的材料:
摻雜晶體doped crystal為得到所期望的物理性質,常需要在晶體中摻人雜質元素。例如在半導體矽中摻人一定量的磷,得到n型半導體;摻人一定量的鋁或稼,得到p型半導體。...
酸鋰晶體(IN)是一種優良的鐵電晶體.和電光晶體及非線性光學晶體。純的LN具有易受光損傷及作為全總記錄材料時,記錄靈敏度不高等缺點,對此,人們採用摻雜的辦法來...
摻雜是指多種物質混雜在一起,在化工、材料等領域中,摻雜通常是指為了改善某種材料或物質的性能,有目的在這種材料或基質中,摻入少量其他元素或化合物。摻雜可以使...
半導體的常用摻雜技術主要有兩種,即高溫(熱)擴散和離子注入。摻入的雜質主要有兩類:第一類是提供載流子的受主雜質或施主雜質(如Si中的B、P、As);第二類是產生...
摻雜鍺酸鉍晶體是摻有Al,Ga等的鍺酸鉍晶體,屬於材料科學技術。...... 摻雜鍺酸鉍晶體是摻有Al,Ga等的鍺酸鉍晶體,屬於材料科學技術。中文名稱 摻雜鍺酸鉍晶體 ...
《鈮酸鋰晶體》是由楊春暉,孫亮,冷雪松編寫,科學出版社出版的一本書籍。...... 介紹用提拉法和頂上籽晶溶液法生長同成分和近化學計量比摻雜鈮酸鋰晶體,研究其晶體...
閃爍晶體是指在X射線等高能粒子的撞擊下,能將高能粒子的動能轉變為光能而發出閃光的晶體。...
晶體材料國家重點實驗室晶體生長方法齊全,結構、性能表征與器件製作設備先進;科研工作已由以前單純地跟蹤、模仿逐步發展到今天在材料設計、製備及相關技術等方面頗具創新...
雷射晶體(laser crystal),可將外界提供的能量通過光學諧振腔轉化為在空間和時間上相干的具有高度平行性和單色性雷射的晶體材料。是晶體雷射器的工作物質。...
中子摻雜是採用中子輻照的辦法來對材料進行摻雜的一種技術,其最大優點就是摻入的雜質濃度分布非常均勻。...
晶體矽材料是最主要的光伏材料,性質為帶有金屬光澤的灰黑色固體、熔點高(1410)、硬度大、有脆性、常溫下化學性質不活潑。其市場占有率在 90%以上,而且在今後相當...
晶體二極體(crystaldiode)固態電子器件中的半導體兩端器件。這些器件主要的特徵是具有非線性的電流-電壓特性。此後隨著半導體材料和工藝技術的發展,利用不同的半導體材料...
與熱擴散摻雜相比,離子注入摻雜的優點是:①離子注入可通過調節注入離子的能量和...離子注入導致晶體的晶格破壞,造成損傷,必須經過加溫退火才能恢復晶格的完整性。...
晶體材料國家重點實驗室是我國首批建設的重點實驗室之一,1984年獲準在山東大學晶體材料研究所的基礎上建設,1987年通過驗收並正式對外開放,屬於套用基礎研究類國家重點...
稀土摻雜光纖不僅能用於光信號的放大,還能用於製作光纖雷射器和光纖感測器等光纖器件。同時基於稀土摻雜的各種光纖器件以及光電子器件的套用也從光纖通信延伸到感測、...
所謂單晶(monocrystal, monocrystalline, single crystal),即結晶體內部的微粒在三維空間呈有規律地、周期性地排列,或者說晶體的整體在三維方向上由同一空間格子構成,...