重摻雜指的是摻入半導體材料中的雜質量比較多。
如矽單晶中雜質濃度達到大於每立方厘米存有10^18個原子。
重摻雜指的是摻入半導體材料中的雜質量比較多。
重摻雜指的是摻入半導體材料中的雜質量比較多。...... 重摻雜指的是摻入半導體材料中的雜質量比較多。如矽單晶中雜質濃度達到大於每立方厘米存有10^18個原子。詞...
中文名稱 重摻雜矽單晶 英文名稱 heavily-doped monocrystalline silicon 定義 摻入雜質量比較多的半導體矽單晶。通常雜質濃度大於每立方厘米原子數為1018個。 套用...
由於在重摻雜情況下,原來孤立的雜質能級擴展為雜質能帶,當雜質能帶進入了導帶或價帶,並與導帶或價帶相連,就形成了新的簡併能帶,使能帶的狀態密度發生了變化,簡...
帶尾(band tail)晶態半導體由於原子排列的長程周期性,導帶和價帶具有清晰的邊界。非晶半導體及重摻雜半導體由於原子排列的長程周期性的破壞、晶格勢能的無序漲落使...
這是BJT的發射區因為重摻雜所帶來的一種不良現象。 (1)帶隙變窄效應的產生機理: 因為半導體重摻雜時將要產生能帶尾和雜質能帶;當摻雜濃度很高時,能帶尾和雜質能帶...
莫斯-布爾斯坦效應即Moss-Burstein effect。是由於泡利不相容原理引起的。具體是指在重摻雜材料中,由於費米能級進入價帶或者導帶。從而使得導帶底(或者價帶頂)的...
簡介現在大部分器件的特徵尺寸通常小於1μm。大部分摻雜是通過離子注入而不是預澱積擴散完成的。但是,當需要製作重摻雜的薄層時,有時會採用擴散爐管來摻入所需...
當半導體重摻雜時,費米能級進入導帶,本徵光吸收邊向高能方向移動的現象稱為Burstein-Moss效應。通常發生在半導體重摻雜時。...