莫斯-布爾斯坦效應即Moss-Burstein effect。是由於泡利不相容原理引起的。具體是指在重摻雜材料中，由於費米能級進入價帶或者導帶。從而使得導帶底（或者價帶頂）的能量狀態已經被占據。在討論光躍遷問題時，比如PL測量，出現的帶隙變大的現象。
moss-burstein effect 是由泡利不相容原理引起的，當在半導體中摻雜增加時其帶隙改變，價帶頂和導帶中未占據能態發生分離。n型重摻雜時由於費米能級在導帶中而使帶隙改變加大（p型時在價帶中），滿帶阻礙熱激發和光激發，因此利用帶間吸收測得的帶隙向高能方向移動（藍移）。
