【英:Doping】矽(或鍺)的導電性會因為在純淨半導體材料中加入雜質而明顯增強。這個摻雜過程是使載流子(電子或空穴)的數量增加,從而增強了導電性、減小了阻礙性。...
摻雜是指多種物質混雜在一起,在化工、材料等領域中,摻雜通常是指為了改善某種材料或物質的性能,有目的在這種材料或基質中,摻入少量其他元素或化合物。摻雜可以使...
摻雜效應是指當氧化物中摻入另一種價態不同的陽離子時,由於陽離子之間的相互作用和電荷重新分布,使氧化物中的離子缺陷濃度和電子缺陷濃度發生變化。...
摻雜程度(doping level)是指在無機半導體中,雜質原子取代主原子位置的過程。...... 摻雜程度(doping level)是指在無機半導體中,雜質原子取代主原子位置的過程。...
摻雜法是指多種物質混雜在一起的加工手段,在化工、材料等領域中,摻雜通常是指為了改善某種材料或物質的性能,有目的在這種材料或基質中,摻入少量其他元素或化合物...
化學摻雜是結構型導電聚合物摻雜的主要手段之一。其過程是利用氧 化還原試劑直接與聚合物進行氧化還原反應,改變聚合物的 簡電狀態。...
摻雜技術(Doping Proces) 是將所需的雜質以定的方式摻入到半導體基片規定的區城內,井達到規定的數量和符合要求的分布,以達到改變材料電學性質、製造PN結、互連線...
化學氣相摻雜是指在化學氣相沉積((CVD)薄膜的同時通過氣相將雜質元素摻入薄膜的工藝。許多薄膜要求適當摻入一定量的雜質以達到改性的目的,如半導體薄膜在摻入施主...
摻雜晶體doped crystal為得到所期望的物理性質,常需要在晶體中摻人雜質元素。例如在半導體矽中摻人一定量的磷,得到n型半導體;摻人一定量的鋁或稼,得到p型半導體。...
摻雜鎢絲,通常也稱抗下垂鎢絲、鎢鋁絲,其主要特徵是在鎢中添加了彌散強化元素鉀,形成了“燕尾搭接”狀的互鎖內部晶粒結構,從而提高了鎢絲的抗高溫蠕變性能。...
半導體核嬗變摻雜是用一定能量的中子、帶電粒子或γ射線等照射材料,通過選擇的核反應在基體中生成原來不存在的新元素,達到半導體材料的摻雜目的。目前,只有中子嬗變...
摻雜型結構導電離分子doped structuralcomductin} pniy-mer結構型導電高分子是指高分子本身具有導電結構,不._,t.藉助外加導電性材料的聚合物,多為線性共扼聚合物...
摻雜光纖(Doped Optical Fiber)就是向光纖纖芯摻入雜質。近幾年來,發現向光纖纖芯摻雜(如摻雜稀土元素離子),會導致光纖產生改性,出現諸多有意義的光效應,並促使...
中子摻雜是採用中子輻照的辦法來對材料進行摻雜的一種技術,其最大優點就是摻入的雜質濃度分布非常均勻。...
離子注入摻雜工藝正文 編輯 將加速到一定高能量的離子束注入固體材料表面層內,以改變表面層物理和化學性質的工藝。在半導體中注入相應的雜質原子(如在矽中注入硼、...
簡介指使用氧化或者還原性物質直接加人被摻雜物質中去,與其發生氧化或還原反應.從而改變其荷電狀態,提高其導電能力的導電聚合物。合成由十導電體是止兩種以上物質複合...
摻雜聚苯硫醚dated Ewlyphcnyl}ne sulfide過氧化劑或還原劑摻雜處理後的聚苯硫醚。對位和問位連線的聚苯硫醚經五氧化_砷氧化摻雜後電導率從10 '}'Slcm以下1_升...
半導體五大特性∶摻雜性,熱敏性,光敏性,負電阻率溫度特性,整流特性。★在形成晶體結構的半導體中,人為地摻入特定的雜質元素,導電性能具有可控性。...
在半導體中既起施主作用、又起受主作用的雜質,就稱為兩性雜質(摻雜劑)。例如GaAs中的Si,就是兩性摻雜劑,當它取代Ga原子時即提供了一個附加的電子,則為施主雜質...
所謂導電高分子是由具有共扼π-鍵的高分子經化學或電化學“摻雜”使其由絕緣體轉變為導體的一類高分子材料...