金屬氧化物半導體場效應(MOS)電晶體可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道矽MOS場效應電晶體在N型矽襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型矽表面呈現P型反型層，成為連線源極和漏極的溝道。
基本介紹
- 中文名：P溝MOS電晶體
- 屬性：電路元件
- 組成類別：N溝道與P溝道
- 套用：連線源極和漏極的溝道
P溝MOS電晶體,各種場效應管特性比較,
P溝MOS電晶體
改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應電晶體稱為P溝道增強型場效應電晶體。如果N型矽襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應電晶體稱為P溝道耗盡型場效應電晶體。統稱為PMOS電晶體。
P溝道MOS電晶體的空穴遷移率低,因而在MOS電晶體的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS電晶體的跨導小於N溝道MOS電晶體。此外，P溝道MOS電晶體閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型電晶體——電晶體邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體積體電路)出現之後，多數已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍採用PMOS電路技術。
PMOS積體電路是一種適合在低速、低頻領域內套用的器件。PMOS積體電路採用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路採用兩種電源供電。採用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。
MOS場效應電晶體具有很高的輸入阻抗，在電路中便於直接耦合，容易製成規模大的積體電路。
各種場效應管特性比較
