垂直雙擴散MOS電晶體，優點是比LDMOSFET占用的面積小，導通電阻仍然比較大。
基本介紹
- 中文名：垂直雙擴散MOS電晶體
- 外文名：Vertical Double-diffused MOSFET
- 優點：比LDMOSFET占用的面積小
- 缺點：導通電阻仍然比較大
產品介紹,優點,缺點,
產品介紹
VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），垂直雙擴散MOS電晶體：
與橫向擴散MOSFET（LDMOSFET）一樣，這也是功率MOSFET的一種基本結構（見左圖示）。
VDMOSFET
VDMOSFET優點
比LDMOSFET占用的面積小, 相應頻率特性也得以改善；溝道長度L與光刻精度無關, 則可使L減短；n漂移區使S-D不容易穿通, 則耐壓提高；可多個單元並聯, 使電流容量增大；採用六角形分布的圖形 (HEXFET，見右圖示), 可使溝道寬度增大, 導通電阻降低；工藝上也與LSI多晶矽技術相容。
缺點
從工作原理上, VDMOSFET實際上就等於MOSFET加上JFET, 而n漂移區相當於JFET的溝道, 因此n漂移區的寬度和摻雜濃度對器件性能的影響較大；因為n漂移區的電阻率較高 (無電導調變), 而且p區下面有的部分未導電, 故導通電阻仍然比較大, 影響輸出功率；p-n結的耐壓以及表面擊穿對器件的影響較大。
若把VDMOSFET漏極的n區改換為p區, 則就成為了垂直導電的IGBT, 這是有兩種載流子工作的器件，具有電導調變效應，則它具有較小的導通電阻，但是開關速度卻有所降低。
