VDMOS

VDMOS是垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應電晶體。

基本介紹

• 中文名：VDMOS
• 套用：電機調速、逆變器
• 特徵：非常快的開關時間
• 製造過程：柵自對準工藝注入各自的摻雜雜質

垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應電晶體

VDMOS兼有雙極電晶體和普通MOS器件的優點，無論是開關

套用還是線形套用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要

套用於電機調速、逆變器、不間斷電源、電子開關、高保真音響、汽車電器和電子鎮流器等。

特徵: 接近無限大的靜態輸入阻抗特性，非常快的開關時間，導通電阻正溫度係數，近似常數的跨導， 高dV/dt。

製造過程: 先在重摻雜N⁺襯底上生長一層N型外延層，由P型基區與N⁺源區的兩次橫向擴散結深之差形成溝道，這兩個區域在離子注入過程中都是通過柵自對準工藝注入各自的摻雜雜質。