金剛石薄膜摻雜特性的研究

《金剛石薄膜摻雜特性的研究》是依託蘭州大學，由陳光華擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：金剛石薄膜摻雜特性的研究
• 依託單位：蘭州大學
• 項目負責人：陳光華
• 項目類別：面上項目
• 批准號：19174016
• 申請代碼：A2004
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：1992-01-01 至 1994-12-31
• 支持經費：4.4（萬元）

項目摘要

用熱絲CVD法實現了金剛石膜的P-型硼摻雜，使電阻率改變了十九個數量級，最小電阻可達0.01Sc-Crn以下，摻雜濃度＞10（20）cm(3)，已達到目前國際先進水平。套用Raman,X-光衍射，ESR，IR，霍爾效應，核反應技術，SIMS等研究硼摻雜的基本特性。用熱絲CVD法和離子注入法在國內首次實現了金剛石膜的n-型砱摻雜，合電阻率下降2-3個數量級。但由於砱原子比碳原子大1.43倍，砱原子在膜中處於晶粒間隙之中，雖摻入了大量的砱原子但對電導貢獻不大，未能達到有效摻雜作用，這是當前國際難題；我們已提出一些新的摻n-型雜質方法。在國內首次用微波法獲得全剛石膜的結構生長，把金剛石膜在電子學方面的套用向前推時了一步。