《熱電漿CVD半導體金剛石薄膜的製備與性質研究》是依託蘭州大學，由張仿清擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：熱電漿CVD半導體金剛石薄膜的製備與性質研究
- 依託單位：蘭州大學
- 項目負責人：張仿清
- 項目類別：面上項目
- 批准號：69071922
- 申請代碼：F0122
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：1991-01-01 至 1993-12-31
- 支持經費：4（萬元）
項目摘要
本課題用熱絲協助CVD法成功的實現了金剛石膜的硼摻雜.用霍爾效應實驗證實是P型半導體材料,電阻率可降到0.01Ωcm,電阻率可改變十個量級以上,摻雜濃度可達10(20)原子/cm(3),達到目前國際先進水平,系統的研究了摻B金剛石膜的輸運機理和鍵合狀態.用IR分析測出B原子基態到第一,二激發態躍遷吸收峰,證實B原子在金剛石膜中以替位方式鍵合,用PL,ESR技術研究了金剛石膜中的缺陷態,首次提出B原子在金剛石膜中是非輻射中心,還研究了金剛石膜與金屬的接觸特性及熱處理時它的影響,還探索了N型摻雜的方法和問題,上述研究為金剛石膜在電子器件方面的套用和理論研究作出了貢獻.本工作在國內外學術刊物和國際會共發表8篇文章,獲省科技進步三等獎.
