立方氮化硼薄膜的織構生長和摻雜特性研究

《立方氮化硼薄膜的織構生長和摻雜特性研究》是依託北京工業大學，由陳光華擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：立方氮化硼薄膜的織構生長和摻雜特性研究
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：陳光華
• 依託單位：北京工業大學
• 批准號：19874007
• 申請代碼：A2004
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：1999-01-01 至 2001-12-31
• 支持經費：15（萬元）

項目摘要

立方氮化硼（c-BN）薄膜是一種新型超硬寬頻隙功能材料，其性能類似於金剛石膜，有著許多優異的物理化學性能，有可能實現n型和p型摻雜，成為寬頻隙半導體材料，在高溫、高頻、大功率等方面有廣泛的套用前景。目前套用的關鍵是必須獲得它的織構生長和摻雜技術。本項目就是套用MW-ECR-CVD等方法製備出高質量的c-BN膜，實現可控n型和p型摻雜。