缺陷晶體是指晶體中一切偏離理想的點陣結構。
缺陷晶體是指晶體中一切偏離理想的點陣結構。
缺陷晶體是指晶體中一切偏離理想的點陣結構。簡介“缺陷”一詞是貶詞,晶體的缺陷確實影響到晶體的性質,使晶體的某些優良性能下降。例如,金屬晶體中存在位錯,原子間的結合力減弱,使金屬的機械強度降低。但是,缺陷可以改變晶體的性質...
晶體缺陷(crystal defects)是指晶體內部結構完整性受到破壞的所在位置。按其延展程度可分成點缺陷、線缺陷和面缺陷。在理想完整的晶體中,原子按一定的次序嚴格地處在空間有規則的、周期性的格點上。但在實際的晶體中,由於晶體形成條件、...
孿晶是指晶體中相毗鄰的兩部分互為鏡像。線缺陷主要是指位錯,位錯的存在對晶體的力學性質機翼各種物理性質都有影響。除了三種缺陷外,晶體中還存在很多其他缺陷,如在對無位錯單晶研究中發現晶體中存在微缺陷,在製作無位錯矽單晶中發現了...
晶體缺陷的直接觀察,晶體中存在多種具有明確特徵的缺陷,如位錯、堆垛層錯、疇界、空位和填隙原子等(見晶體缺陷、位錯、面缺陷、點缺陷)。早期提出晶體具有缺陷的假設是為了解釋某些結構敏感性能(屈服強度、擴散、X射線的衍射強度等)...
位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬於一種線缺陷,可視為晶體中已滑移部分與未滑移部分的分界線,其存在對材料的物理性能...
點缺陷是最簡單的晶體缺陷,它是在結點上或鄰近的微觀區域內偏離晶體結構的正常排列的一種缺陷。 點缺陷是發生在晶體中一個或幾個晶格常數範圍內,其特徵是在三維方向上的尺寸都很小,例如空位、間隙原子、雜質原子等,都是點缺陷,也...
弗侖克爾缺陷(英文 Frenkel defect 或 Frenkel disorder )是指晶體結構中由於原先占據一個格點的原子(或離子)離開格點位置,成為間隙原子(或離子),並在其原先占據的格點處留下一個空位,這樣的空位-間隙對就稱為弗侖克爾缺陷,即...
液態金屬由很多微小的晶粒和面缺陷組成,在微晶體中金屬原子或離子組成完整的晶體點陣,這些微晶體之間以界面相連線,微晶的存在能很好地解釋液態金屬中的近程有序性。但它的缺陷在於晶粒的尺寸無法確定而在定量解釋上有困難,對高溫液態金屬...
體缺陷指的是在三維尺寸上的一種晶體缺陷,如鑲嵌塊,沉澱相,空洞,氣泡等。在二十世紀初葉,人們為了探討物質的變化和性質產生的原因,紛紛從微觀角度來研究晶體內部結構,特別是X射線衍射的出現,揭示出晶體內部質點排列的規律性,認為...
《晶體中位錯缺陷的晶格理論》是依託重慶大學,由王少峰擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 位錯是普遍存在於晶體材料中的結構缺陷,對晶體的性質具有重要的影響。位錯研究的中心問題是關於位錯的芯結構和位錯的Peierls 應力問題。這些問題...
2.2 生長界面與晶體缺陷 23 2.2.1 生長界面的演化 23 2.2.2 生長界面與晶體缺陷 24 2.2.3 生長界面臨界速度 27 2.3 晶體成品檢測 29 2.4 晶體製備系統最佳化的任務 37 參考文獻 38 第3章 晶體生長中的流動與傳熱 40 3....
《藍寶石晶體缺陷圖譜》是2018年7月1日實施的一項中國國家標準。編制進程 2017年12月29日,《藍寶石晶體缺陷圖譜》發布。2018年7月1日,《藍寶石晶體缺陷圖譜》實施。起草工作 主要起草單位:中國科學院上海光學精密機械研究所、上海大恆...
具有本徵缺陷的晶體,是指那些雖然不含有外來雜質,但其結構仍然不完善的晶體。這類晶體的不完善性表現為以下幾種情況:(1)晶體中各組分偏離化學比;(2)點陣格位上缺少某些原子;(3)在格位間隙的地方存在有間隙原子;(4)一類...
晶體缺陷以及它們的形成原因和觀測方法、晶體取向測定的方法及套用、人工晶體的一些生長方法等;本書可以作為材料科學與工程、物理學、化學等教育部一級學科的相關專業的教材,也可供從事半導體、金屬、陶瓷、晶體材料與器件等方面工作的科技...
晶體缺陷 晶體生長過程中,由於原來純度、各組分配比、燒結方式、粉料顆粒度都不可能十分完美,晶體生長過程中,生長爐內的溫度分布、各組成成分的濃度分布、熔體/溶液的流動方式、生長氣氛、提拉轉速與拉速等也都有所不同,不可能達到...
熱缺陷-分類 晶體中熱缺陷有兩種形態,一種是肖脫基(Schottky)缺陷,另一種是弗侖克爾(Frenkel)缺陷。肖脫基缺陷 由於熱運動,晶體中陽離子及陰離子脫離平衡位置,跑到晶體表面或晶界位置上,構成一層新的界面,而產生陽離子空位及陰離子...
凝聚態材料的性能極大地依賴於其中的缺陷。為了闡明缺陷對材料性能的影響,我們必須首先充分掌握材料中缺陷的形態。晶體材料中尺寸大於5納米的缺陷,可利用傳統的電子顯微衍襯成像技術來表征。但對於更細微缺陷的表征,到目前為止還沒有切實...
《鈦鋁合金系晶體缺陷的分析型嵌入原子方法模型研究》是依託湖南大學,由張邦維擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 在我們自己提出的改進分析型EAM(MAEAM)模型的基礎上,進一步完善了hop和 boc金屬的WAEAM理論,不再運用截尾函式。結合MD...
《晶體缺陷與界面》是宣天鵬所著書籍。內容簡介 該書為高等學校教材。本書共分三部分,主要包括晶體學基礎、固體材料的結構、凝固、相圖和固態相變的基本原理;固體中的擴散、晶體缺陷、材料表面與界面、金屬材料的變形與再結晶以及非金屬...
除了表面外,蕭基缺陷也可在位錯或晶界上產生。這種缺陷在晶體內也能運動,也存在著產生和複合的動態平衡。對一定的晶體來說,在確定的溫度下,缺陷的濃度也是一定的。空位缺陷的存在可用場離子顯微鏡直接觀察到。特性 一般來說,隨著溫度...
《太陽電池用鑄造多晶矽中晶體缺陷的電學複合性能研究》是依託浙江大學,由余學功擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 鑄造多晶矽是最主要的太陽電池材料,但由於其中存在大量的晶體缺陷,是非平衡少數載流子的有效複合中心,所以太陽電池...
面缺陷是指兩個方向尺寸較大,一個方向尺寸較小的缺陷,晶體的自由表面、晶界、相界和層錯面等都屬於面缺陷。一般金屬材料多以多晶狀態使用,晶界是多晶體中的一種重要的面缺陷。晶界對多晶體材料的物理和化學性質有著重要影響。材料...
雜質缺陷屬於晶體缺陷的點缺陷,指外來質點(雜質)取代正常質點位置或進入正常結點的間隙位置。雜質原子或叫摻雜原子,其量一般少於 0.1%,進入晶體後,因雜質原子和本徵原子的性質不同,故它不僅破壞了原子有規則的排列,而且使雜質離子...
空位缺陷指的是晶體中的原子或離子離開格位後所留下的空格位稱做空位缺陷。用V(vacancy的字首)表示空位缺陷。如氟化鈣(2)中氟離子空位表示 成VF , V表示是空位缺陷,右下角的符號F表示空位缺陷 位於氟離子格位,右上角符號表示...
空缺、摻雜等晶體缺陷與材料的性質息息相關。目前,我們對缺陷在金屬有機骨架材料中的分布及有序性缺乏控制,以特定功能為導向的晶體缺陷的設計相當有限,對晶體缺陷與材料性質間的構效關係需進一步闡明。本課題擬利用配體競爭、拓撲誘導、...
數學上,位錯屬於一種拓撲缺陷,有時稱為“孤立子”或“孤子”。這一理論可以解釋實際晶體中位錯的行為:可以在晶體中移動位置,但自身的種類和特徵在移動中保持不變;方向(伯格斯矢量)相反的兩個位錯移動到同一點,則會雙雙消失,或...