本徵缺陷(native defects,intrinsic defects),固體缺陷中的一大類,在晶體中同時產生的一對間隙原子和空位也是本徵缺陷。
基本介紹
- 中文名:本徵缺陷
- 外文名:native defects,intrinsic defects
- 適用領域:材料
本徵缺陷(native defects,intrinsic defects),固體缺陷中的一大類,在晶體中同時產生的一對間隙原子和空位也是本徵缺陷。
本徵缺陷(native defects,intrinsic defects),固體缺陷中的一大類,在晶體中同時產生的一對間隙原子和空位也是本徵缺陷。晶體中的缺陷是指原子排列周期性受到破壞的區域。具有本徵缺陷的晶體,是指那...
基於此,本項目將結合原位精細結構分析和物性測量,系統研究單根氧化鋅納米線本徵缺陷。研究內容如下:利用球差校正高分辨透射電鏡原位觀察分析單根氧化鋅納米線本徵缺陷,並結合電子能量損失譜分析其電子結構;利用微區光致發光測試單根氧化鋅...
《鈮酸鋰晶體本徵缺陷對光折變性能的影響及其最佳化》是依託南開大學,由陳曉軍擔任項目負責人的青年科學基金項目。 中文摘要 利用在鈮酸鋰熔體中摻入K2O的方法,生長出不同Li/Nb比的、尤其是近化學計量比的高光學質量鈮酸鋰單晶。通過改變Li...
《GaN半導體中的殘留雜質和本徵缺陷》是依託廈門大學,由康俊勇擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 用波長色散X光譜分析非摻GaN中殘留雜質;用高分辨透射電子顯微鏡及其能量色散X光譜觀烊畢萁峁辜白槌桑揮糜餛撞飭糠⒐饃釒薌叮揮美...
《鈮酸鋰晶體摻雜離子與本徵缺陷相互作用的機理探索》是依託山東大學,由李妍璐擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 鈮酸鋰是一種具有多功能效應的光學晶體材料,是少數經久不衰並不斷開發新功能特性和套用領域的重要材料。其晶格幾乎...
本徵缺陷的類型是,在點陣中晶格結點出現空位,或在不該有粒子的間隙上多出了粒子(間隙粒子)。此外,還可能是一種粒子占據了另一種粒子應該占據的位置形成錯位。這些缺陷的產生,主要由於粒子的熱運動。任何高於OK的實際晶體,晶格結點...
本項目以探明鐵硫族化合物中本徵缺陷對結構和物性的影響機制為研究目標,充分利用我們在無機材料製備和熱力學分析方面的豐富經驗,使用化學合成法在低溫條件下製備亞穩態的1:1鐵硫族整比化合物FeX(X=Se,Te,S),之後在其中引入不同...
希望為未摻雜ZnO中雜質和本徵缺陷的表征提供新的途徑,並對自補償機制有新的認識;對p型ZnO的形成機制、p型電導的穩定性、雜質狀態與物理性能關係有更深層次的理解。結題摘要 為探索ZnO中n型缺陷及p型雜質的形成機制、存在狀態、局域...
使用基於贗勢以及超晶胞幾何的密度泛函理論和第一原理分子動力學方法,選擇近年來頗多研究的六角結構以及立方結構的C3N4和立方結構的BC2N的超硬多功能材料作為研究對象,針對內部本徵缺陷、外來雜質以及缺陷複合體,進行:(1)缺陷的形成、...
本項目是一項理論計算研究,擬結合稀磁半導體材料樣品的實驗室製備條件,通過第一原理理論來計算各種本徵缺陷形成能,並利用缺陷濃度,費米能級,和載流子濃度之間的自洽來計算這些物理量。這樣可以確定在給定製備條件下的晶體缺陷濃度,及其...
闡明缺陷結構對熱電性能的作用機制;研究不同缺陷組分對能帶結構及電學性能的影響,闡明提升該類材料熱電性能的關鍵能帶參數及其最佳化發展方向和能帶調控技術;實現電性能和熱性能的協同最佳化提升該類材料的熱電性能,為具有本徵缺陷結構的新型...
晶體缺陷的種類繁多,若按幾何形式分類有:點缺陷(如雜原子置換、空位、填隙原子)、線缺陷(如位錯)、面缺陷(如堆垛層錯、晶粒邊界等)和體缺陷(如包裹雜質、空洞等)等。若按缺陷的形成和結構分類有:本徵指不是由外來雜質原子形成而是...
本項目將採用第一性原理計算方法系統的研究Co摻雜以及(Co,Ga)共摻等ZnO稀磁氧化物中的複合缺陷(n型或p型摻雜與ZnO中的本徵缺陷等)對ZnO稀磁半導體磁學性能的影響。通過研究複合缺陷影響ZnCoO體系磁學性能的微觀機制,從原子層次上...
在作者近10年來從事寬禁帶半導體金剛石晶體缺陷表征研究工作的基礎上,本書系統地介紹金剛石本徵缺陷與雜質缺陷的光致發光特性,並在此基礎上構建缺陷結構模型,揭示光致變色機理。圖書目錄 前言 第1章金剛石的基本性質 第2章金剛石的...
本項目的研究將給出本徵缺陷對上述兩種d0鐵磁性半導體的鐵磁性的影響機制,並指導實驗在加強氧化物半導體的鐵磁性方面的研究工作。結題摘要 2006年,Hong等人在未摻雜TiO2薄膜中發現了室溫鐵磁性,並且發現在氧氣中燒結樣品會大大減弱磁性。...
2.2.1 點缺陷的構型分類及符號17 2.2.2 點缺陷反應式的書寫規則18 2.2.3 點缺陷的濃度18 2.3 點缺陷的形成19 2.3.1 本徵缺陷19 2.3.2 雜質缺陷20 2.3.3 非化學計量缺陷25 2.3.4 點缺陷的締合27 2.4 缺陷平衡...
第4章缺陷化學基礎及其套用 4.1引言118 4.1.1缺陷形成能118 4.1.2缺陷的分類119 4.2點缺陷的分類和表示方法120 4.2.1本徵缺陷120 4.2.2非本徵缺陷(雜質缺陷)121 4.2.3非化學計量缺陷122 4.2.4缺陷締合與缺陷簇122 4...
在離子導體中,離子參與導電與固體中的點缺陷密切相關。純淨固體中的點缺陷是本徵缺陷,有弗侖克爾缺陷和肖特基缺陷兩類(見點缺陷),前者是空位和填隙原子,後者為單純的空位。它們的濃度決定於固體的平衡溫度以及缺陷的生成能。含有雜質...
本方向通過研究材料的缺陷微結構,確定材料(如鈮酸鋰、鉭酸鋰、 BCT 等)中本徵缺陷、非本徵缺陷對材料弱光非線性光子學特性的影響。開發高效光子學材料缺陷調控技術(如摻雜工程等),通過對缺陷的調整,最佳化材料弱光非線性光子學性質,...
分析了ZnO與NiO材料內部本徵缺陷的種類與導電機理,評估了利用NiO材料補償ZnO內部本徵施主缺陷的可行性。定量的研究了Ni元素組分對材料的電導率、載流子濃度、遷移率等電學性質的調製效果。總結出了材料電學特性受Ni元素組分影響的內在機理,...
第6章 材料中的缺陷 6.1點缺陷的種類和表示方法 6.2本徵缺陷 6.3摻雜缺陷 6.4變價缺陷 6.5線缺陷 6.6晶體的表面 6.7晶體的界面 6.8孿晶 參考書目和文獻 習題 第7章 相平衡與相變 7.1相平衡和相律 7.2單組分體系相圖 ...
本項目採用了基於密度泛函理論的第一性原理和VASP程式,研究了中性C、B、P、S幾種元素摻雜以及帶電荷摻雜的α-Al2O3的態密度、電子結構、能帶結構,C摻雜理想態和本徵缺陷態(包括空位、間隙原子以及弗倫克爾對)α-Al2O3的空間幾何...
1)晶格缺陷和擴散。UN的化學鍵性質和晶體結構類型都與UC的相類似。該結構中最重要的本徵缺陷是分子空位,其半徑約為0.1746nm;非本徵缺陷主要是碳和氧及裂變產物。他們能否固溶是決定燃料堆內行為的關鍵,這與雜質原子的直徑有關。與...
.本項目計畫以自主智慧財產權SAPMAC法生長的藍寶石單晶為對象,建立藍寶石單晶熱衝擊抗力的實驗和理論表征方法,研究晶體本徵缺陷和經歷熱衝擊後產生的損傷在外載荷下的演化規律,找到影響藍寶石單晶熱衝擊抗力的主要控制因素,建立合理的熱衝擊...
當前關於稀釋磁性半導體的實驗研究大多集中在磁性過渡金屬摻雜的樣品和含有本徵缺陷的樣品上,而對氮摻雜氧化物的實驗研究則鮮有報導。鑒於此,我們將研究的主要目標定為用氮摻雜氧化物(MgO、CaO、SiO2、ZnO、TiO2和SnO2)來製備稀釋磁性...
實現富鋰層狀結構正極材料的放電比容量、快速充放電能力及循環穩定性得到了明顯地改善;其次,針對高比容量矽酸鹽基鋰離子正極材料的離子/電子導電性差和循環穩定性差的本徵缺陷,採用溶膠凝膠和可控水熱法,設計合成三維有序分級多孔和...
雙中心模型的建立需要晶體在模型中有兩個不同的能級中心,它們是由材料的本徵缺陷或是往材料里摻加適當的雜質所形成。國際上普遍認為兩個能級中心上的電子都是通過導帶進行交換,對由隧穿效應導致的深淺能級之間直接電子交換過程的研究基本...