《稀磁半導體缺陷氧化態和濃度對磁性的影響》是依託華南理工大學，由趙宇軍擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：稀磁半導體缺陷氧化態和濃度對磁性的影響
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：趙宇軍
- 依託單位：華南理工大學
- 申請代碼：A2004
- 批准號：10704025
- 支持經費：19（萬元）
- 研究期限 ：2008-01-01 至 2010-12-31
- 負責人職稱：教授
項目摘要
高性能的稀磁半導體材料是廣為關注的電子自旋學的基石，而晶體缺陷對稀磁半導體材料的物性（其幾何結構，電子結構，和磁性結構）有著極為重要的作用。本項目是一項理論計算研究，擬結合稀磁半導體材料樣品的實驗室製備條件，通過第一原理理論來計算各種本徵缺陷形成能，並利用缺陷濃度，費米能級，和載流子濃度之間的自洽來計算這些物理量。這樣可以確定在給定製備條件下的晶體缺陷濃度，及其氧化態，得到缺陷能級的電荷占據情況。並在此基礎上繼續用第一原理理論來研究稀磁半導體的相應電子結構和磁性結構。最後利用晶體對稱性，缺陷的濃度，和氧化態，與鐵磁性的關係，歸納和總結出對稀磁半導體材料有指導意義的實用性規律，使稀磁材料的研發進入理性設計階段，加速自旋電子器件的開發。
