《SnO2基稀磁半導體的磁性起源及其機理研究》是依託濟南大學，由張昌文擔任項目負責人的專項基金項目。
基本介紹
- 中文名：SnO2基稀磁半導體的磁性起源及其機理研究
- 項目類別：專項基金項目
- 項目負責人：張昌文
- 依託單位：濟南大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：10847134
- 研究期限：2009-01-01 至 2009-12-31
- 申請代碼：A25
- 支持經費：2（萬元）
項目摘要
同時利用電子的電荷和自旋屬性製作的自旋電子學器件在當今的信息社會具有廣闊的套用前景，揭示其磁性來源並尋找具有室溫鐵磁性的新型半導體材料就成為研究熱點。本項目擬通過第一性原理和平均場理論相結合的研究方法，探索SnO2基稀磁半導體的磁性起源及其居里溫度的調控機理。（1）通過構建各種研究模型，以具有不同微結構的SnO2基半導體的電子結構﹑電子密度分布及其電荷轉移量為重點，分析離子摻雜﹑載流子類型和濃度﹑缺陷態以及表面缺陷等微結構變化對半導體磁特性的影響，從原子層次上揭示磁性起源。（2）建立原子團模型，研究磁性雜質原子團產生的條件，及其結構與尺寸大小對材料巨觀磁特性的影響，判斷不同的磁性來源。（3）根據平均場理論構建哈密頓能量模型，研究載流子類型和濃度對摻雜金屬離子之間交換耦合作用的影響，建立居里溫度的調控機理模型，為材料的實驗製備提供技術參數。本項目具有科學意義和實際套用價值。
