《高Tc稀磁半導體氧化物納米線的研究》是依託南京大學，由王廣厚擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：高Tc稀磁半導體氧化物納米線的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王廣厚
- 依託單位：南京大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：10474030
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 申請代碼：A2001
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
稀磁半導體（DMS）在磁電子器件中具有廣泛的套用前景。ZnO、SnO2等寬隙稀磁半導體由於具有很高的Tc轉變溫度而受到重視。然而，稀磁半導體的亞穩性生長特性限制了這類材料的合成，特別是一維結構的合成，常規的基於熱平衡過程的納米線生長方法難以合成這類一維材料。本課題提出了一種製備稀磁半導體一維納米結構的新思路：以稀磁半導體量子點為組裝單元，採用反微乳-水熱-外場（電場、磁場）誘導組裝的合成路線，自組裝形成單晶DMS納米線。為解決量子點表面上存在的大量的雜質離子對一維組裝的影響等問題，我們採用殼層未摻入雜質的芯殼量子點作為組裝單元，提出了一種新穎的磁量子線組裝結構：磁量子點由非磁的同質殼層互動外延地連線起來，組成組分有序並可調製的DMS納米線。在此基礎上，對獲得的DMS納米線的微結構、物理性質進行系統研究，揭示微結構與性質之間的內在關聯，為高Tc稀磁半導體的套用提供了基礎。
