《III族氮化物納米線中“d0 - 鐵磁性”的第一性原理研究》是依託北京理工大學，由石麗潔擔任項目負責人的專項基金項目。
基本介紹
- 中文名：III族氮化物納米線中“d0 - 鐵磁性”的第一性原理研究
- 依託單位：北京理工大學
- 項目負責人：石麗潔
- 項目類別：專項基金項目
- 批准號：10947148
- 申請代碼：A2502
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2010-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：3（萬元）
項目摘要
稀磁半導體是很有套用前景的自旋電子學材料，通常人們在本徵半導體中摻入過渡金屬元素以獲得稀磁半導體，這些材料已得到廣泛的研究。最近人們發現某些半導體材料中由於存在本徵缺陷或摻入非過渡金屬雜質也可以產生鐵磁性，這種鐵磁性被稱為d0 - 鐵磁性，這類材料為尋找室溫下可用的自旋電子學材料開闢了一條新的途徑。本項目擬採用基於量子力學的第一性原理計算方法研究Ⅲ族氮化物半導體BN，AlN，GaN,InN納米線中的本徵缺陷和非過渡金屬雜質對磁性的影響，希望通過摻雜、調整納米材料形狀和尺寸大小，設計出具有良好光學特性和室溫鐵磁性的材料，為實驗研究光電子器件的套用提供理論指導和參考。
