《磁場下準一維納米寬禁帶稀磁半導體的製備及物性研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院，由鄒優鳴擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：磁場下準一維納米寬禁帶稀磁半導體的製備及物性研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：鄒優鳴
- 依託單位：中國科學院合肥物質科學研究院
- 批准號：50702060
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：副研究員
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：19（萬元）
項目摘要
半導體自旋電子學同時利用了電子的電荷和自旋屬性，是當今材料研究領域中的熱點。準一維納米寬禁帶稀磁半導體材料既是低維納米材料中物理問題研究的需要，也是發展低功耗自旋電子器件的基礎。本項目採用溶液法，在較低的溫度下製備準一維納米寬禁帶稀磁半導體，同時在生長過程中引入外磁場，研究不同的磁場條件對準一維納米寬禁帶稀磁半導體的形貌、取向性、微結構等各方面的影響，並進一步研究磁性離子摻雜的均勻性，提高居里溫度，對其中磁性的來源作出合理的解釋。為磁場下的準一維納米材料製備科學研究積累實驗數據，為準一維納米稀磁半導體材料在相關領域的可能套用提供實驗基礎。
