基本介紹
- 中文名：閆文盛
- 國籍：中國
- 出生地：大連
- 畢業院校：遼寧大學
個人經歷,主要研究方向,代表性科研成果,
個人經歷
1971年9月出生，大連人。1992年考入遼寧大學物理系，1999年獲得碩士學位。2003 年2月在中國科學技術大學物理系獲得理學博士學位。在博士期間參加了國家同步輻射實驗室XAFS 的安裝與調試工作；作為主要成員參加了國家自然科學基金“同步輻射研究表面熔化機理”和中科院創新“原位同步輻射技術研究半導體固-液相變的微觀機理”兩個研究項目；獲得安徽省第一屆核學會優秀論文獎。
2003年3月在中國科學技術大學的核技術及其套用專業做博士後，在站期間參加了國家同步輻射實驗室XMCD站的安裝與調試工作；負責完成了“同步輻射研究III-V非磁性量子半導體的超磁阻效應” (中科院王寬誠獎勵基金)、“半導體低維量子結構材料的同步輻射研究”(博士後資助金)和“低維半導體量子體系的同步輻射研究”（北京同步輻射實驗室的重點課題）的三個研究項目；獲得了安徽省第二屆核學會的研究論文二等獎。
現今，申請人是XMCD線站負責人。自2007年以來負責承擔了4項國家自然科學基金委的項目；獲得第四屆全國同步輻射學術會議“青年之光”優秀論文二等獎；指導的碩士研究生的畢業論文獲得2009年安徽省優秀碩士研究論文；2010年入選新世紀優秀人才支持計畫。
主要研究方向
先進功能材料的結構和性能及其相互關係，複雜金屬氧化物的界面和表面的幾何和電子結構；功能材料的生長、相變等動態過程的原位動力學研究。
代表性科研成果
Mn摻雜的ZnO稀磁半導體：通過XAFS實驗和第一性原理計算，提出Zn空位是誘導其具有室溫鐵磁性的根本原因以及N原子能夠誘導最近鄰Mn原子的磁相互作用，從反鐵磁性轉變為鐵磁性的觀點。相應的研究工作發表在 Appl.Phys.Lett (2篇)。工作發表後，得到了該領域的權威人士華盛頓大學Gamelin教授的來信祝賀。
Co摻雜的ZnO稀磁半導體：在明確了晶格完美的Co摻雜ZnO具有順磁性基礎上，通過引入O空位和Ag離子來調控其電子和能帶結構，在其納米線、納米棒以及納米雜化結構中實現了室溫鐵磁性。相關的研究工作發表在 Appl.Phys.Lett (1篇)、J.Phys.Chem.C(2篇) 、J.Appl.Phys（3篇）和Phys.Rev.B(2篇)。
Co摻雜TiO2稀磁半導體：明確了在退火過程中形成的氧空位（Vo）與替代了Ti原子的CoTi形成了CoTi- Vo複雜體，提出了氧空位在間隙間引入的能級是導致其有室溫鐵磁性的根本原因以及摻雜Co原子的自旋狀態。相關的研究工作發表在 Appl.Phys.Lett（2篇）和J.Appl.Phys（1篇）
