《氧化鋅納米線本徵缺陷的系統研究》是依託浙江大學，由王業伍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：氧化鋅納米線本徵缺陷的系統研究
- 依託單位：浙江大學
- 項目負責人：王業伍
- 項目類別：面上項目
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
未摻雜氧化鋅通常呈現典型的n型導電特性，然而其n型載流子來源仍然眾說紛紜，成為調控氧化鋅導電特性的主要瓶頸之一，因此明晰其載流子來源至關重要。基於此，本項目將結合原位精細結構分析和物性測量，系統研究單根氧化鋅納米線本徵缺陷。研究內容如下：利用球差校正高分辨透射電鏡原位觀察分析單根氧化鋅納米線本徵缺陷，並結合電子能量損失譜分析其電子結構；利用微區光致發光測試單根氧化鋅納米線變溫PL譜，揭示其缺陷態；製作基於單根氧化鋅納米線的場效應電晶體，在掃描電鏡真空環境中測試其電性能，獲得載流子濃度及遷移率等參數，並利用附屬於掃描電鏡的陰極射線發光譜測試單根氧化鋅的CL譜。綜合上述精細結構分析和物性測量結果及理論計算，揭示未摻雜氧化鋅n型載流子的來源，分析難以實現氧化鋅導電特性調控的物理機制，在此基礎上進行氧化鋅可控摻雜的探索研究。項目的實施將有助於解決氧化鋅的一些基本問題，具有重要的科學意義和套用價值。
結題摘要
未摻雜氧化鋅通常呈現典型的n型導電特性，然而其n型載流子來源仍然眾說紛紜，成為調控氧化鋅導電特性的主要瓶頸之一，因此明晰其載流子來源至關重要。基於此，本項目將結合原位精細結構分析和物性測量，系統研究單根氧化鋅納米線本徵缺陷。研究內容如下：我們利用微區光致發光測試單根氧化鋅納米線變溫PL譜，揭示其缺陷態；完善了製作基於單根納米線的場效應電晶體的製作工藝，通過電極選擇、表面鈍化等手段提高場效應電晶體性能；在掃描電鏡真空環境中測試了其電輸運性能，獲得載流子濃度及遷移率等參數，並利用附屬於掃描電鏡的陰極射線發光譜測試單根氧化鋅的CL譜；系統探討了不同前驅體溶液對製備的氧化鋅本徵缺陷類型及濃度的影響；系統研究了利用金屬薄膜調控氧化鋅光致發光性能，探究了本徵缺陷的作用。綜合上述精細結構分析和物性測量結果及理論計算，揭示未摻雜氧化鋅n型載流子的來源，分析難以實現氧化鋅導電特性調控的物理機制，在此基礎上進行氧化鋅可控摻雜的探索研究。項目的實施將有助於解決氧化鋅的一些基本問題，具有重要的科學意義和套用價值。
