《GaN半導體中的殘留雜質和本徵缺陷》是依託廈門大學，由康俊勇擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：GaN半導體中的殘留雜質和本徵缺陷
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：康俊勇
- 依託單位：廈門大學
- 批准號：69976023
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2000-01-01 至 2002-12-31
- 支持經費：11.7（萬元）
項目摘要
用波長色散X光譜分析非摻GaN中殘留雜質；用高分辨透射電子顯微鏡及其能量色散X光譜觀烊畢萁峁辜白槌桑揮糜餛撞飭糠⒐饃釒薌叮揮美綻貢浠瘓阜紙饃釒薌端蔡蟮酶髦稚釒薌兜募せ釒堋⒎袷評鶯褪磕堋Ｓ玫諞輝澩笮統椒Ｄ釭aN中雜質缺陷產生的電子結構變化，尤其是雜質能級在禁帶中的相對位置，為提高GaN質量提供依據。
