蕭基缺陷

蕭基缺陷又稱“空孔缺陷”。蕭基缺陷（Schottky defect）是一種化合物半導體中的點缺陷。在化合物MX中，在T>0K時，由於晶格熱振動，能量大的原子離開原格點進入晶格間隙或進入表面，或蒸發到外界，而失去原子的晶格位置即出現空缺生成空位以符號VM（或VX）表示。空位是化合物半導體中常見的點缺陷之一。如果對一個按化學計量比組成的化合物MX晶體，在產生VM的同時，也產生數目相同的VX。此時產生的缺陷稱肖特基缺陷，記作(VM VX)。空位可以是中性，也可帶正電或負電。它對化合物半導體的導電性能有較大的影響。

基本介紹

• 中文名：蕭基缺陷
• 外文名：Schottky defect
• 所屬類別：專業術語
• 產生原因：晶格熱振動

原理

蕭基缺陷是由於晶體表面附近的原子熱運動到表面，在原來的原子位置留出空位，然後內部鄰近的原子再進入這個空位，這樣逐步進行而造成的，看來就好像是晶體內部原子跑到晶體表面來了。顯然，對於離子晶體，陰陽離子空位總是成對出現；但若是單質，則無這種情況。除了表面外，蕭基缺陷也可在位錯或晶界上產生。這種缺陷在晶體內也能運動，也存在著產生和複合的動態平衡。對一定的晶體來說，在確定的溫度下，缺陷的濃度也是一定的。空位缺陷的存在可用場離子顯微鏡直接觀察到。

特性

一般來說，隨著溫度的升高，缺陷的濃度會增大。對於典型的離子晶體鹼金屬鹵化物，其蕭基缺陷形成能較低，所以，蕭基缺陷主要存在於鹼金屬鹵化物中，但只有高溫時才明顯，尚只有個別例外。對於氧化物而言，其離子性顯然小於鹼金屬鹵化物，所以它的蕭基缺陷形成能較高，只有在較高的溫度下，它的蕭基缺陷才變得重要。

區分

蕭基缺陷和弗侖克爾缺陷之間的重要差別之一，在於前者的生成需要一個像晶界、位錯或表面之類的晶格混亂區域，使得內部的質點能夠逐步移到這些區域，並在原來的位置上留下空位，但弗氏缺陷的產生並無此限制。當蕭基缺陷的濃度較高時，用比重法所測得的固體密度顯著地低於用X射線分析得出的晶胞大小數據計算所得的密度。

弗倫克爾缺陷：間隙原子和空位是成對出現的。

蕭基缺陷：只在晶體內形成空位而無間隙原子。