晶體中位錯缺陷的晶格理論

《晶體中位錯缺陷的晶格理論》是依託重慶大學，由王少峰擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：晶體中位錯缺陷的晶格理論
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：王少峰
• 依託單位：重慶大學
• 批准號：10774196
• 申請代碼：A2002
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
• 支持經費：19（萬元）

中文摘要

位錯是普遍存在於晶體材料中的結構缺陷，對晶體的性質具有重要的影響。位錯研究的中心問題是關於位錯的芯結構和位錯的Peierls 應力問題。這些問題只有在離散晶格結構的框架內才能真正得到解決。本項目從離散晶格出發，考慮原子間的相互作用，使用粘合方案，研究建立既能充分反映離散晶格效應，又能普遍套用的位錯方程；研究位錯的芯結構、位錯的Peierls應力；研究位錯的特徵及其性質與實驗上可直接測量的聲子譜之間的內在關係。位錯晶格理論是位錯理論長期追求的目標，它的建立和完善有助於消除連續介質近似帶來的混亂，有助於改進理論預言的準確性，有助於加深人們對位錯及其相關物理現象的認識和理解。