空位缺陷指的是晶體中的原子或離子離開格位後所留下的空格位稱做空位缺陷。
基本介紹
- 中文名：空位缺陷
- 外文名：vacancy
- 類型：空格位稱
用V（vacancy的字首）表示空位缺陷。如氟化鈣（2）中氟離子空位表示 成VF , V表示是空位缺陷，右下角的符號F表示空位缺陷 位於氟離子格位，右上角符號表示空位缺陷帶有一個正有 效電菏。
空位缺陷指的是晶體中的原子或離子離開格位後所留下的空格位稱做空位缺陷。
空位缺陷指的是晶體中的原子或離子離開格位後所留下的空格位稱做空位缺陷。用V（vacancy的字首）表示空位缺陷。如氟化鈣（2）中氟離子空位表示 成VF , V表示是空位缺陷，右下角的符號F表示空位缺陷 位於氟離子格位，右...
空位缺陷的存在可用場離子顯微鏡直接觀察到。特性 一般來說，隨著溫度的升高，缺陷的濃度會增大。對於典型的離子晶體鹼金屬鹵化物，其蕭基缺陷形成能較低，所以，蕭基缺陷主要存在於鹼金屬鹵化物中，但只有高溫時才明顯，尚只有個別例外。對...
指在晶體結構中本應由質點正常占有的位置,實際上缺失了質點而留下的空位。能使原來無色透明的離子晶體呈現某種顏色的色心(color center),就是一類能夠捕獲自由電子或空穴而對可見光產生選擇吸收的空位。缺陷 晶格根據其對理想晶格偏離的...
氧空位是指在金屬氧化物或者其他含氧化合物中，晶格中的氧原子(氧離子)脫離，導致氧缺失，形成的空位。簡單來說，就是指氧離子從它的晶格中逸出而留下的缺陷。氧空位是半導體材料尤其是金屬氧化物半導體中最常見的一種缺陷，對半導體...
弗侖克爾缺陷（英文 Frenkel defect 或 Frenkel disorder ）是指晶體結構中由於原先占據一個格點的原子（或離子）離開格點位置，成為間隙原子（或離子），並在其原先占據的格點處留下一個空位，這樣的空位-間隙對就稱為弗侖克爾缺陷，即...
肖脫基缺陷實際產生過程是：由於靠近表面層的離子或者原子熱運動到新的晶面後產生空位，然後，內部鄰近的離子再進入這個空位，這樣逐步進行而造成缺陷。肖脫基缺陷濃度計算 1.單質肖特基缺陷的平衡濃度 N>>n △Gs--形成一個肖特基缺陷時系統...
小空位團是由四空位和五空位構成的空位團。低於200℃退火時,缺陷複合五空位團成分隨退火溫度升高而增大;高於400℃時,空位團分裂。在金屬材料中，經過塑性形變後也會形成空位團。在形變的半導體中，也會產生大量的空位團。空位或者空位團...
晶體中的點缺陷主要有：空位缺陷、間隙缺陷、雜質缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的簡稱；處在間隙位置上的M原子所形成的間隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符號，i表示原子處於間隙格位，是英文...
結果表明，在空洞缺陷形成的早期，He能促進空洞的形成，但在He空洞缺陷的生長過程中，空位缺陷俘獲He原子，形成較小的He泡，限制SiC中He原子的遷移，抑制大尺寸He泡的形成，該內容被收錄至美國能源部年度項目報告中。為了討論輻照環境下重...
基於第一性原理、位錯晶格理論和矽結構特點，提出並驗證了包含空位缺陷和位錯缺陷的單晶矽納米級磨削過程的分子動力學仿真模型，系統研究考慮缺陷的單晶矽超精密磨削機理。研究表明：磨削過程中，工件原子晶陣在受到磨粒的推擠作用下發生原子鍵...
準確定量表面空位缺陷、晶格缺陷和長程有序的單元缺陷，然後模型光催化半反應，如氧化（亞硝基苯/O2）-還原(亞硝基苯/甲醇),測定其量子效率，由此構效關係解決長期以來懸而未決的是表面缺陷、晶格序排列還是晶格缺陷決定光生電子-空穴的...
3．7 晶格缺陷對硫化礦物電子結構的影響 3．8 品格缺陷對硫化礦物電荷和鍵極性的影響 3．9 晶格缺陷對硫化礦物電荷密度的影響 參考文獻第4章 晶格缺陷對硫化礦物表面結構和性質的影響 4．1 硫化礦物表面結構模型 4．2 空位缺陷對...
W基合金元素對空位缺陷遷移影響研究。考查合金元素對空位、間隙的作用機制。發現合金元素對空位的遷移均表現為較有利的作用，其中Zr合金元素對空位的影響較為明顯，遷移閾能僅為0.859eV。通過有效體積的方式解釋空位遷閾能，且發現Ta的濃度...
《金屬表面矽烯的形核生長機理與缺陷控制》是依託南京理工大學，由李爽擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 目前在金屬基底上外延生長是製備矽烯的主要方法，但是製備得到的矽烯與基底作用過強不易轉移，並且矽烯中存在大量的空位缺陷...
通過進一步分析還可發現以下規律：1）隨著能量的升高，總缺陷中孤立點缺陷所占百分比逐漸降低，而缺陷簇所占百分比卻明顯升高，說明隨著入射PKA 能量的升高，點缺陷更傾向於締合成為缺陷簇；2）與空位缺陷相比，孤立點缺陷中間隙原子更容易...
晶體的許多重要套用正是人們有意識的利用晶體缺陷產生的。改變晶體缺陷的種類和數量，可製得某些特殊性能的晶體。種類 晶體缺陷的種類繁多，若按幾何形式分類有:點缺陷(如雜原子置換、空位、填隙原子)、線缺陷(如位錯)、面缺陷(如堆垛層...
弗蘭克耳空位 弗蘭克耳空位是一個物理學名詞。如果晶體中的原子擠入結點的空隙，形成一類點缺陷——間隙原子，同時原來的節點位置也空缺，產生了一個空位，通常把這樣一對點缺陷（空位和間隙原子）稱為弗蘭克耳（Frenkel）缺陷。
《金屬中氫致空位形成機制研究》是依託北京航空航天大學，由呂廣宏擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 空位是金屬中常見缺陷之一，與金屬材料結構和性能密切相關。金屬中空位平衡濃度極低，但一些外界因素如高能粒子輻照可導致空位產生。有趣...
點缺陷與溫度密切相關所以也稱為熱缺陷。在晶體中，晶格中的原子由於熱振動能量的漲落而脫離格點移動到晶體表面的正常格點位置上，在原來的格點位置留下空位。這種空位稱為肖脫基缺陷。如果脫離格點的原子跑到鄰近的原子空隙形成間隙原子，...
都是通過位錯的產生和運動來實現的。晶界中的空位缺陷對晶界的遷移擴散運動有阻礙作用。退火處理可以消除一部分空位缺陷，同時促使晶粒生長。晶界中引入的第二相物質可以抑制晶粒生長。
本項目擬以分子束外延(MBE)和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)等方法生長的高質量ZnO薄膜和納米結構為研究對象，針對ZnO中非輻射複合中心指認以及3.31eV(A線)發光起源這兩個關鍵科學問題，通過對鋅空位等點缺陷以及層錯等擴展缺陷的識別和...
晶體缺陷的直接觀察，晶體中存在多種具有明確特徵的缺陷，如位錯、堆垛層錯、疇界、空位和填隙原子等（見晶體缺陷、位錯、面缺陷、點缺陷）。早期提出晶體具有缺陷的假設是為了解釋某些結構敏感性能（屈服強度、擴散、X射線的衍射強度等）...
這種位錯環多見於被輻照的材料當中，是一種典型的缺陷。位錯環上與柏氏矢量垂直的兩處是刃型位錯，與柏氏矢量平行的兩處是螺型位錯，其餘部分均為混合型位錯。特性 是一種位錯，一般由於位錯增殖或空位缺陷產生。套用 位錯環的存在是一...
9.2 空位缺陷對強度性質的影響 125 9.2.1 空位缺陷對矽晶體[111]晶向強度的影響 125 9.2.2 空位缺陷對 晶向強度的影響 128 9.3 間隙粒子對強度性質的影響 130 9.3.1 間隙粒子對[111]晶向強度的影響 130 9.3.2 間隙粒子...
當材料中存在空位型缺陷時，由於這種缺陷帶有等效負電荷，能夠吸引正電子，使之不再自由擴散，而是被束縛在缺陷中，這一現象稱為捕獲現象。由於缺陷中電子密度較低，處於捕獲態的正電子壽命τd較自由態正電子的壽命為長，而且缺陷的尺寸...
造成非等計量比的原因是存在間隙原子或離子和原子或離子空位缺陷或缺陷簇。缺陷簇是缺陷以某種方式締合而成,如Koch簇、 Bevan簇、Wllis簇等。非等計量比化合物的分類 從非等計量比化合物組成的非等計量性可分為以下幾種：(1)MY型,...
CZ法，即直拉法是半導體和光伏行業生產單晶矽的主要方法，單晶矽質量對後續工藝影響較大，但常規直拉單晶工藝生產的單晶矽頭部往往存在著較多 OSF 缺陷，導致頭部無法使用，增加了生產成本。OSF缺陷是氧原子、自間隙缺陷和空位缺陷共同作用...
可用來研究晶體缺陷（空位、位錯和輻照損傷等），固體中的相變，金屬有序－無序相變等。在無損檢驗中可用來探測機械部件(如輪機葉片、飛機起落裝置)的疲勞損傷,可在小裂縫出現之前作出預報。在化學中可用於研究有機化合物的化學反應，...
利用XPS、EPR等手段識別出正一價氧空位缺陷是ZnO納米顆粒中存在一種主要缺陷，其形成的帶間深能級，能夠作為ZnO納米顆粒強綠螢光的發光中心，且其具有不成對電子，能夠作為順磁中心（F+）激髮長程的磁有序。特別是，隨著納米顆粒尺寸的...
晶界的晶體缺陷 和晶體一樣，在晶晶界上同樣存在可能會擾亂晶界平衡結構的三種類型的晶體缺陷，即點缺陷（包括空位、間隙原子和置換原子）、線缺陷（如非本徵位錯）和體缺陷（如沉澱相和夾雜等）。線缺陷在材料的力學行為中扮演著最主要...