《ZnO基納米結構中磁性質及自旋相關的光、電效應》是依託揚州大學,由許小勇擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名:ZnO基納米結構中磁性質及自旋相關的光、電效應
- 項目類別:青年科學基金項目
- 項目負責人:許小勇
- 依託單位:揚州大學
《ZnO基納米結構中磁性質及自旋相關的光、電效應》是依託揚州大學,由許小勇擔任項目負責人的青年科學基金項目。
《ZnO基稀磁半導體薄膜及其ZnO/GaN異質結自旋LED研究》是依託中國科學技術大學,由余慶選擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 室溫稀磁半導體材料對於半導體自旋電子器件的套用具有十分重要的意義。本項目採用共摻雜技術製備出室溫鐵磁性ZnO基稀磁半導體薄膜和室溫磁性ZnO/GaN異質結系列樣品,測量不同磁場下和不同溫度時的...
如系統研究了ZnO納米顆粒組成的微米片的合成及其在光催化中的套用;通過簡單的回流方法成功製備了具有多孔結構的SnS和SnS2花狀結構,進而對製備得到的材料進行光催化降解MB的套用研究,結果表明,我們得到的納米材料具有良好的光催化效果。為半導體材料在光催化領域套用提供了新的證明和依據。進一步,我們根據國內外研究...
以離子注入的方法對ZnO進行摻雜是近年來探索ZnO發光器件和自旋電子器件的重要方法,其中利用離子注入進行稀土離子(RE)摻雜是研究ZnO發光器件的重要內容。由於三價稀土離子的光學活性在ZnO中比較低,其螢光效率始終無法令人滿意。直到上世紀90年代後期,人們發現在某些材料中(比如SiO2, GaN)的納米結構有可能成為稀土發光...
本課題結合半導體材料和磁性材料,研究納米線和納米線異質結,為將來自旋注入器件的微型化提供基礎支持。在課題執行過程中取得了如下的系列研究結果。通過二次熱處理的方法以ZnS納米帶為基底外延生長了ZnS納米棒,形成了納米梳子結構。以ZnS納米帶為基礎,通過MOCVD方法,外延生長了ZnO納米顆粒,形成了ZnS/ZnO納米異質結。
構建二維InSe/BP范德華異質結,可以提高InSe空穴遷移率3個數量級達104 cm2V-1s-1;范德華間隙過渡金屬原子Sc-Zn摻雜可以在InSe/BP中誘導出鐵磁、反鐵磁和順磁性;扶手椅型InSe納米帶是非磁直接帶隙半導體,具有高電子遷移率103 cm2V-1s-1,鋸齒形納米帶表現出本徵鐵磁性,自旋極化靈敏依賴於納米帶邊緣結構;...
構建二維InSe/BP范德華異質結,可以提高InSe空穴遷移率3個數量級達104 cm2V-1s-1;范德華間隙過渡金屬原子Sc-Zn摻雜可以在InSe/BP中誘導出鐵磁、反鐵磁和順磁性;扶手椅型InSe納米帶是非磁直接帶隙半導體,具有高電子遷移率103 cm2V-1s-1,鋸齒形納米帶表現出本徵鐵磁性,自旋極化靈敏依賴於納米帶邊緣結構;...
這些III-V族稀磁半導體很容易與III-V族非磁性半導體GaAs、AlAs、(Ga,Al)As和(In,Ga)As等結合形成異質結構,並且與呈現巨磁阻(GMR)效應的金屬多層膜類似,其異質結構中也存在著自旋相關的散射、層間相互作用耦合、隧穿磁阻等現象。更有意義的是,幾個實驗室已經得到了III-V族稀磁半導體自旋相關器件的一些...
《分子尺度電子自旋態的相互作用及其控制研究》是依託中國科學技術大學,由王兵擔任項目負責人的重大研究計畫。中文摘要 磁性納米結構, 由於其在高密度信息存儲、自旋電子學、量子計算等方面的重要套用背景,引起了廣泛的重視和研究興趣。在各種磁性納米結構體系中,磁性分子是一類非常重要的材料體系。本項研究將主要利用...
基於稀磁半導體材料的自旋功能器件 由於稀磁半導體很大程度上考慮了靜電勢壘(界面電子結構的匹配問題)對自旋極化注入的不利影響,尤其是近期研究的透明半導體系列具有很多獨特的磁光、磁電等性質,因此稀磁半導體在磁感應器、高密度非易失性存儲器、光隔離器、半導體積體電路、半導體雷射器和自旋量子計算機等領域有廣闊的...
量子點最重要的一個性質是量子尺寸效應,即量子點的頻寬會隨著顆粒尺寸大小而變化,這個性質廣泛套用於生物標記等方面,而磁性離子在半導體中的摻雜可作為新的發光中心或者是自旋電子材料。項目執行期間完成了Mn摻雜的Cdse量子點的製備, 研究了MnSe/CdSe量子點的發光變化;探索了用SeOLA為陰離子前驅體製備ZnSe和ZnO枝狀...
在高空間分辨定量測量磁結構方面,她研究組提出了用透射電子束定量測量具有占位分辨、高空間分辨包括藉助於色差校正的原子面分辨的磁結構方法,並已在一些薄膜材料體系中實現了元素磁矩、軌道/自旋磁矩之比的定量測量;他們還提出了In-plane EMCD的測量方法,實現了用上述發展的方法定量測量試樣的本徵的磁結構;等。她...
第4章 納米薄膜材料與可見光發射 4.1 概述 4.2 發光機理及Si發光面臨的問題 4.3 Ge/Si超晶格和量子阱結構材料 4.4 Ge/SiO2、Si/SiO2納米膜發光 4.5 多孔矽發光 4.6 GaN基薄膜材料發光 4.7 薄膜發光顯示器(Ⅱ-Ⅵ族化合物)4.8 矽中摻鉺(Er)的發光特性及機理 4.9 ZnO量子點—...
11.5 與磁性有關的交叉物理效應 11.5.1 磁熱效應 11.5.3 磁光和光磁效應 參考文獻 第12章 功能陶瓷的耦合性質 12.1 功能材料的壓電效應 12.2 功能材料的熱釋電效應 12.2.1 熱釋電現象 12.2.2 熱釋電體的結構特點 12.2.3 熱釋電效應的熱力學 12.2.4 熱釋電係數 12.3 功能材料的電光效應...
不同薄膜沉積工藝對Au結構和ZnO電阻性能的影響王旭光 唐彬 席仕偉 565 不同陽極鍵合結果的影響因素研究姚明秋 唐彬 蘇偉 陳穎慧 吳嘉麗 569 QCM二氧化碳氣體感測器康婷 謝光忠 574 微型氣相色譜柱結構設計及對化學戰劑模擬劑的快速分離袁歡 李臆 杜曉松 王洋 蔣亞東 579 感測器測試技術與工藝裝備 基於狹縫光照明的偏光...