抗輻射設計

一種把輻射效應的影響考慮在內,對電子系統所作的設計。這樣設計出來的電子系統在輻射環境中能可靠地正常工作,並且能生存和發展。

基本介紹

  • 中文名:抗輻射設計
  • 外文名:radiation hardening on design
在進行電子系統的抗輻射設計時,首先要了解其輻射環境及其輻射效應,根據系統要達到的性能要求,確定其輻射環境及其輻射效應,根據系統要達到的性能要求,確定其輻射容限和失效判據,建立或運用現有的子系統模型,進行輻射易損性和敏感性的輻射模擬試驗分析或計算機模擬分析,然後根據平衡加固的原則,對系統進行設計。
整個系統設計中的抗輻射措施要考慮以下幾個方面:
  1. 禁止結構要選擇性能好的禁止材料和合理的幾何形狀,可以阻止或減弱核輻射和電磁脈衝,從而減少其造成的輻射損傷。
  2. 電子材料要選用抗輻射性能和絕緣性能好的材料,作為系統殼體內空腔充填材料,可以減弱γ射線和內電磁脈衝造成的放射損傷。
  3. 電子元器件它的抗輻射性能是基礎。採用電參數篩選和輻射退火篩選方法,剔除抗輻射性能差的元器件,選用抗輻射性能好的這是使系統電路達到一定抗輻射能力的重要保證。
  4. 電路或電子系統要選用具有抗輻射性能的線路形式,如各種光電流補償電路、高增益電路;儘量少用有源元件及高阻值電阻;設法降低功率損耗,提高邏輯靈活性等。
實際系統的電路比較複雜,這些設計通常都用計算機模型進行。對於電晶體電路,套用最廣泛的是EBERS-MOLL模型,此外還有本徵電晶體集總模型,細緻電晶體集總模型等。常用電腦程式有ECAP,SCEPTRE,CPDED,PANCAP,PANE,CIRCUS等。
採用計算機模擬分析和輔助設計,可以縮短設計周期,降低加固成本。

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