抗輻射CMOSSRAM存儲單元設計是安徽大學建設的虛擬仿真實驗課程。
基本介紹
- 中文名：抗輻射CMOSSRAM存儲單元設計
- 建設院校： 安徽大學
- 課程負責人： 藺智挺
- 授課教師：吳秀龍、彭春雨、黎軒
課程簡介,課程目標,
課程簡介
本實驗涵蓋了微納器件級仿真、電路級仿真 ，與工業界仿真平台完全兼容，選用國家科技重大專項、863項目 的實例電路進行實驗設計。實驗包括使用Tcad結構的PMOS管校準;措建6管存儲單元，並對其進行讀寫功能的驗證;模擬不同能量的重離子轟擊存儲單元，其邏輯信息發生單粒子翻轉和翻轉恢復現象;並通過模擬不同角度入射、工作電壓、管間距對兩種現象的LET閾值的影響。實驗可以讓學生全面掌握積體電路在不同層次的設計方法。
課程目標
(1) 掌握MOS電晶體的器件結構與電學特性.
(2) 掌握MOS電晶體的SPICE仿真
(3) 掌握SRAM存儲單元的工作原理與SPICE仿真方法
(4) 掌握器件級SRAM單元的抗輻射仿真方法
(5) 掌握SRAM存儲單元的版圖設計方法
