《積體電路器件抗輻射加固設計技術》是2023年科學出版社出版的圖書,作者是閆愛斌等。
基本介紹
- 中文名:積體電路器件抗輻射加固設計技術
- 作者:閆愛斌等
- 出版社:科學出版社
- 出版時間:2023年3月1日
- ISBN:9787030747143
《積體電路器件抗輻射加固設計技術》是2023年科學出版社出版的圖書,作者是閆愛斌等。
《積體電路器件抗輻射加固設計技術》是2023年科學出版社出版的圖書,作者是閆愛斌等。內容簡介《積體電路器件抗輻射加固設計技術》從積體電路器件可靠性問題出發,具體闡述了輻射環境、輻射效應、軟錯誤和仿真工具等背景知識,詳細介...
抗輻射加固工藝技術是指為使半導體器件和積體電路在輻射環境中能夠正常工作或具有很長的使用壽命所需採取的工藝措施。抗輻射加固技術是為保證電子系統、儀器等在輻射環境中仍能完好並可靠地完成各種預定功能而採取的各種技術措施。定義 抗...
本項目的研究將為抗輻照加固超大規模積體電路尤其是微處理器的設計提供直接的理論支持和指導。結題摘要 航天技術是衡量一個國家現代化水平和綜合國力的重要標誌,而單粒子效應和總劑量效應是航天套用積體電路面臨的主要輻射效應,對這兩類...
《抗輻射積體電路設計理論與方法》是2018年清華大學出版社出版圖書,作者是高武。內容簡介 本書首先介紹輻射環境、輻射相互作用物理過程及若干種輻射效應; 接下來,本書詳細介紹積體電路抗輻射加固設計方法學,包括單粒子閂鎖加固策略及測試...
本項目的研究將突破65納米以下工藝節點的抗輻射加固基礎,為我國研製GHz高性能抗輻照積體電路尤其是微處理器設計提供直接的理論依據和指導。結題摘要 抗輻射加固是宇航積體電路的關鍵技術之一。本項目面向65納米以下CMOS工藝節點,針對單粒子...
《宇航用抗輻射加固積體電路單元庫設計要求》實施。起草工作 主要起草單位:北京微電子技術研究所 、中國航天電子技術研究院 。主要起草人:趙元富 、王亮 、岳素格 、周亮 、孫永姝 、李同德 、林建京 、趙曦 、王慜 、劉征宇 。
對於電晶體電路,套用最廣泛的是EBERS-MOLL模型,此外還有本徵電晶體集總模型,細緻電晶體集總模型等。常用電腦程式有ECAP,SCEPTRE,CPDED,PANCAP,PANE,CIRCUS等。採用計算機模擬分析和輔助設計,可以縮短設計周期,降低加固成本。
基於構建的65nm體矽CMOS工藝抗輻射設計加固技術平台,國內同行即可快速研製出滿足中、高軌空間套用要求的抗輻射晶片,極大的提高了抗輻射積體電路的研製效率。研究成果促進了國內宇航用器件研製水平的躍升,對於打破國際技術壁壘,保障我國宇航用...
2.2.3氧化層工藝對雙極器件的影響 2.2.4雙極電晶體劑量率效應 2.3矽雙極器件加固基本措施 2.3.1器件結構加固 2.3.2電路結構加固 2.3.3模擬積體電路抗輻射加固的考慮 2.3.4關鍵參數的初步設計 2.4雙極放大器模組加固設計 2...
4.6.4表面鈍化技術 4.6.5預先增加基區複合 4.7電路設計加固技術 4.7.1中子注量加固 4.7.2對瞬時輻射加固技術 4.8雙極數字電路 4.9雙極模擬電路 4.9.1運算放大器 4.9.2比較器 4.9.3穩壓電源 第5章抗輻射MOS積體電路...
本項目面向抗輻射高速A/D數據轉換器的設計需求,聯合國防科學技術大學微電子與微處理器研究所、中國電子科技集團公司第二十四研究所模擬積體電路國防重點實驗室,開展了MOS工藝輻照效應機理、積體電路軟錯誤評估方法、抗輻射加固單元庫設計、...
通過數值模擬和實驗驗證,研究綜合輻射效應的物理機理。掌握元器件致電離輻射下中子輻射效應與器件結構的關係,對致電離輻射下中子輻射效應給出科學合理的解釋,為我國電子元器件抗輻射加固設計和評價提供理論依據,促進抗輻射加固技術向更高...
分別得到累積不同劑量後雙極和MOS器件的脈衝輻射回響規律;結合器件建模、電路仿真及理論研究,闡述累積劑量對器件脈衝輻射回響的影響機制,並從電路層面分析該影響機制下的敏感單元與參數,為電子器件的抗輻射性能評估及加固設計提供理論依據...
可程式晶片設計技術;抗輻射積體電路設計技術;輻射效應檢測及評估技術 科研項目 主要從事可程式邏輯器件和系統研製、抗輻射加固設計和輻射效應檢測及評估等方面的研究工作,先後參與了多項國家和中科院重大科研項目。主持研製了“可程式邏輯...