抗輻射積體電路概論

內容簡介

《抗輻射積體電路概論》共分10章，主要內容包括輻射環境、輻射效應、抗輻射雙極積體電路設計、抗輻射mos積體電路設計、微處理器加固技術、存儲器加固技術、fpga加固技術、模型參數、積體電路抗輻射性能評估。

《抗輻射積體電路概論》可作為高等學校電子科學與技術類專業選修教材，或從事相關研究的科技人員的參考書。

作者簡介

韓鄭生，長期從事半導體工藝技術、積體電路設計研究工作。主要研究方向為可靠性SOI CMOS積體電路技術。研究內容包括SOI CMOS工藝技術開發、靜態隨機存儲器（SRAM）電路設計、積體電路抗輻射性能研究。

圖書目錄

第1章緒論

1.1抗輻射積體電路技術發展概況

1.2抗輻射積體電路技術的發展方向

1.2.1SOI技術

1.2.2抗輻射設計技術

1.2.3新材料、新結構

1.3本書的章節安排

第2章輻射環境

2.1空間環境

2.1.1內輻射帶

2.1.2槽形輻射帶

2.1.3外輻射帶和準俘獲區

2.1.4地磁尾區和低高度區

2.1.5銀河宇宙射線

2.1.6太陽耀斑

2.2核爆炸輻射環境

2.2.1大氣層外爆炸

2.2.2大氣層內爆炸

2.3核動力輻射

第3章輻射效應

3.1總劑量輻射效應

3.2中子輻射效應

3.3瞬時輻射效應

3.4單粒子效應

3.4.1單粒子瞬變效應和單粒子翻轉效應

3.4.2單粒子閂鎖效應

3.4.3單粒子功能中斷

3.4.4單粒子燒毀效應和單粒子柵穿效應

3.5劑量增強效應

3.6低劑量率效應

第4章抗輻射雙極積體電路設計

4.1雙極積體電路的製造工藝

4.2雙極積體電路的電晶體

4.3雙極積體電路的二極體

4.4積體電路中的無源元件

4.5雙極電晶體的輻射效應

4.5.1中子輻射對雙極電晶體特性的影響

4.5.2γ射線或X射線的瞬時輻射效應

4.6結構及工藝加固技術

4.6.1減薄基區寬度

4.6.2最佳化集電區參數

4.6.3最佳化金屬化材料

4.6.4表面鈍化技術

4.6.5預先增加基區複合

4.7電路設計加固技術

4.7.1中子注量加固

4.7.2對瞬時輻射加固技術

4.8雙極數字電路

4.9雙極模擬電路

4.9.1運算放大器

4.9.2比較器

4.9.3穩壓電源

第5章抗輻射MOS積體電路設計

5.1MOS積體電路的基本製造工藝

抗輻射積體電路概論

基本介紹

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作者簡介

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