《源區致電離輻射對電子器件中子輻射效應影響機制研究》是依託西北核技術研究院，由陳偉擔任項目負責人的重點項目。
基本介紹
- 中文名：源區致電離輻射對電子器件中子輻射效應影響機制研究
- 項目類別：重點項目
- 項目負責人：陳偉
- 依託單位：西北核技術研究院
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
電子元器件的輻射效應研究是一門涉及核物理和半導體物理等方面滲榆戒的交叉學科，在空間和國防領域中受到廣泛關注。γ射線存在於核爆炸和反應堆的中子輻射環境中，由於γ電離輻射與中套精講子位移損傷效應的相互作用，電子器件在實際環境中的輻射效應在某些情況下不是兩項輻射效應的簡單疊加。本項目以不同工藝單管和積體電路作為研究對象，提出雙極器件亞表面區能帶彎曲理論，研究電離總劑量效應對位移損傷效應的影響過程；提出單項輻射效應電路級耦合機制，研究積體電路單元間的耦合作用對整體電路參數的詢墊戒囑影響；提出氧化物空位駐留理論，研究中子在氧化層內產生缺陷對電離輻射效應電子空穴漂移過程的影響因素。通過數值模擬和實驗驗證，研究綜合輻射效應的物理機理。掌握元器件致電離輻射下中子輻射效應與器件結構的關係，對致電離輻射下中子輻射效應給出科學合理的解釋，為我國電子元器件抗輻射加固設計和評價提供理論依據，促進抗輻射加固技術向更高層次、更高水發展。
結題摘要
項目備跨危從試驗研究、數值模擬兩方面對雙極、CMOS、BiMOS三種不同工藝器件開展了中子、γ綜合輻射效應規律和物理機理研究。通過研究，一方面闡明了橫向PNP電晶體亞表宙府戶碑面區能帶彎曲造成的載流子複合加劇是引起雙極工藝器件出現加劇退化、導致非預期失效的主要原因，揭示了中子位移效應和γ電離總劑量效應耦合的物理機理，為電子元器件中子、γ綜合輻射效應試驗相關國家標準提供了理論依據；另一方面闡明了中子、γ綜合輻射效應與雙極工藝器件輸入級電晶體結構的關係，掌握了雙極、BiCMOS工藝器件中子位移效應和γ射線電離總劑量效應電路級耦合的產生條件，為電子元器件抗輻射加固設計和器件選型提供了依據，兆匙協並依此建立了雙極器件工藝加固方法協朵。同時在研究過程中，項目組發展出多種輻射效應敏感參數測試方法。
