《抗輻射設計與輻射效應》是2015年5月中國科學技術出版社出版的圖書,作者是沈自才、丁義剛。
基本介紹
- 中文名:抗輻射設計與輻射效應
- 作者:沈自才、丁義剛
- 出版社:中國科學技術出版社
- 出版時間:2015年5月
- 頁數:343 頁
- 定價:102 元
- 開本:16 開
- 裝幀:平裝
- ISBN:9787504667380
《抗輻射設計與輻射效應》是2015年5月中國科學技術出版社出版的圖書,作者是沈自才、丁義剛。
《抗輻射設計與輻射效應》是2015年5月中國科學技術出版社出版的圖書,作者是沈自才、丁義剛。內容簡介《抗輻射設計與輻射效應》作者從輻射環境、輻射效應、輻射損傷機制、輻照試驗、輻射禁止、抗輻射設計方法、輻射加固保證等方面對...
一種把輻射效應的影響考慮在內,對電子系統所作的設計。這樣設計出來的電子系統在輻射環境中能可靠地正常工作,並且能生存和發展。在進行電子系統的抗輻射設計時,首先要了解其輻射環境及其輻射效應,根據系統要達到的性能要求,確定其輻射...
對一個實際的電子系統的抗輻射加固技術很複雜,除了理論分析之外,往往需要通過實驗和藉助電子計算機進行反覆的模擬和輔助設計。經過專門加固的電子系統,可使抗輻射能力提高2~3個數量級以上。局部輻射效應、損傷機制和加固技術的研究逐步發展...
本項目的研究將為抗輻照加固超大規模積體電路尤其是微處理器的設計提供直接的理論支持和指導。結題摘要 航天技術是衡量一個國家現代化水平和綜合國力的重要標誌,而單粒子效應和總劑量效應是航天套用積體電路面臨的主要輻射效應,對這兩類...
對於瞬時輻射效應,採用時間迴避法或間隙式工作方式比較有效。對於易損部分,可採用局部禁止或雙套以上的複式電路。抗輻射電子系統的設計,應利用計算機進行模擬分析和輔助電路設計,不僅可提高工作效率,而且還可以模擬實驗室很難得到的環境...
《抗輻射積體電路設計理論與方法》是2018年清華大學出版社出版圖書,作者是高武。內容簡介 本書首先介紹輻射環境、輻射相互作用物理過程及若干種輻射效應; 接下來,本書詳細介紹積體電路抗輻射加固設計方法學,包括單粒子閂鎖加固策略及測試...
抗輻射加固計算機是指在設計和製造過程中通過採取加固措施,能夠在輻射環境條件下可靠運行的計算機。輻射環境 通常輻射環境包括核爆炸、核反應堆產生的核輻射和來源於太陽宇宙線、銀河宇宙線及地球輻射帶的空間高能粒子輻射。輻射效應 主要是...
《積體電路器件抗輻射加固設計技術》是2023年科學出版社出版的圖書,作者是閆愛斌等。內容簡介 《積體電路器件抗輻射加固設計技術》從積體電路器件可靠性問題出發,具體闡述了輻射環境、輻射效應、軟錯誤和仿真工具等背景知識,詳細介紹了抗...
SRAM是CPU、DSP和SoC等積體電路的核心部件,更是單粒子輻射最敏感部件,攻克SRAM低功耗和抗輻射設計關鍵技術,將SRAM翻轉閾值提升到15MeV.cm2/mg以上,對於我國空間用抗輻射積體電路的設計具有重要意義。 本課題:(1)深入研究並改進了SRAM的...
《抗輻射積體電路概論》是2011年由清華大學出版社出版的圖書,作者是韓鄭生。該書論述了抗輻射積體電路方面的知識。內容簡介 《抗輻射積體電路概論》共分10章,主要內容包括輻射環境、輻射效應、抗輻射雙極積體電路設計、抗輻射mos積體電路...
本項目研究獲得的CMOS APS圖像感測器60Co γ 射線總劑量輻照效應實驗數據和反應堆中子位移輻照效應實驗數據及由這些實驗數據得出的總劑量效應和位移效應實驗規律等重要結果,為國產CMOS APS圖像感測器抗輻射加固設計提供了理論指導和試驗支持,...
5.2.2抗輻射加固設計餘量與元器件/材料抗輻射指標166 5.2.3衛星電子系統抗電離總劑量加固設計一般方法167 5.3抗位移損傷效應加固技術171 5.3.1抗位移損傷效應加固設計一般方法171 5.3.2典型光電器件抗位移損傷效應加固設計173 5.3...
在高速A/D轉換器中,輻射可以形成全範圍穩定的輻射缺陷。它不僅同輻射環境和輻射參數有關,而且同轉換器的架構、加固技術有關,形成不同的輻射效應。數字校正技術是設計抗輻射高速A/D轉換器的關鍵技術。本項目針對輻射對高速A/D轉換器...
4.3 輻射效應60 4.4 單粒子翻轉仿真分析66 4.5 結論68 參考文獻68 第5章 標準CMOS技術中的抗輻射加固設計的參考電壓和電流72 5.1 引言72 5.2 帶隙參考電路的抗輻射設計方法72 5.3 典型的CMOS帶隙電壓...
為了進行抗輻射加固工作,首先須了解輻射環境和輻射效應損傷機制。其次,根據抗輻射指標和電子系統所要完成的性能要求制訂失效判據。然後,按照合理的安全係數進行加固設計。從器件生產、電路設計到組裝成電子系統,每個環節都可加固,但是元件...
2.3.3模擬積體電路抗輻射加固的考慮 2.3.4關鍵參數的初步設計 2.4雙極放大器模組加固設計 2.4.1差分輸入級加固 2.4.2放大級加固 2.4.3電流基準源加固 第3章MOS器件的輻射效應及其加固方法 3.1 MOS器件參數和材料的輻射效應 ...
通過理論推導分析光纖的輻射效應對光纖陀螺隨機遊走係數、標度因數、零偏穩定性的影響,建立光纖的輻射效應與光纖陀螺性能之間的關係模型並進行實驗驗證,為評估星載光纖陀螺在空間的工作性能並進行陀螺光纖環的抗輻射加固設計奠定基礎。結題摘要...
開展核輻射對光纖的效應研究,對於光纖系統的設計和抗輻射加固、利用光纖開展核輻射探測研究具有重要的意義。本項目開展脈衝γ射線對光纖的輻射效應研究,分析計算γ射線對光纖的康普頓、光電、散射和電子對效應隨光子能量的變化,次級電子密度...
.本項目擬對大芯徑純石英光纖、光子晶體光纖的脈衝伽馬/X射線瞬態輻照效應進行研究,建立光纖瞬態輻照效應的實驗研究方法,結合理論模擬研究光纖的輻射禁止和抗輻射加固技術,研究給出輻照效應隨總劑量、劑量率、輻射源種類的變化規律,研究...
6.4.5 溫度效應 6.5 專題討論 6.5.1 SEE測試中的激勵源設計 6.5.2 利用最敏感組件探測SEE 6.5.3 片上網路和通信 6.5.4 微處理器中的多位翻轉(MBU)和角度效應 6.5.5 加固微處理器的輻射回響行為 6.5.6 複雜系統...
1968年,Ginsberg報導蜂毒抗輻射效應在統計學上是顯著的,蜂毒可以使受800倫琴輻射後的動物的存活率由40%增加至100%。阿爾捷莫夫證實了注射蜂毒有防護輻射的作用,還有治療作用。1970年日本大阪的宮野岩男,用鈷作照射源,證實蜂毒有抗T...
掌握了雙極、BiCMOS工藝器件中子位移效應和γ射線電離總劑量效應電路級耦合的產生條件,為電子元器件抗輻射加固設計和器件選型提供了依據,並依此建立了雙極器件工藝加固方法。同時在研究過程中,項目組發展出多種輻射效應敏感參數測試方法。
最後,開展揭示65 納米以下工藝節點單粒子效應微觀機理的試驗測試方法的研究。本項目的研究將突破65納米以下工藝節點的抗輻射加固基礎,為我國研製GHz高性能抗輻照積體電路尤其是微處理器設計提供直接的理論依據和指導。結題摘要 抗輻射加固是...