抗輻射加固元器件

抗輻射加固元器件

抗輻射加固元器件是指採用一定的抗輻射加固技術設計製造的,能在特定的輻射環境中滿足電性能要求和正常工作的元器件。在輻射環境中存在的電離輻射、瞬時輻射、中子輻射、高能粒子輻射以及核電磁脈衝都會引發元器件損傷、電性能退化乃至功能失效,從而會導致所在電子系統甚至總體系統的故障與失效。

基本介紹

  • 中文名:抗輻射加固元器件
  • 外文名:Radiation hardened components and devices
  • 學科:航空工程
  • 領域:工程技術
定義,原理,要求,結構,實例,發展,

定義

抗輻射加固元器件是指採用一定的抗輻射加固技術設計製造的,能在特定的輻射環境中滿足電性能要求和正常工作的元器件。

原理

在輻射環境中存在的電離輻射、瞬時輻射、中子輻射、高能粒子輻射以及核電磁脈衝都會引發元器件損傷、電性能退化乃至功能失效,從而會導致所在電子系統甚至總體系統的故障與失效。因此必須提高元器件在輻射環境中的生存能力,亦即要對元器件進行抗輻射加固。為保證電子系統、儀器等在輻射環境中仍能完好並可靠地完成各種預定功能而採取的各種技術措施。為了進行抗輻射加固工作,首先須了解輻射環境和輻射效應損傷機制。其次,根據抗輻射指標和電子系統所要完成的性能要求制訂失效判據。然後,按照合理的安全係數進行加固設計。從器件生產、電路設計到組裝成電子系統,每個環節都可加固,但是元件、器件的加固,是整個加固工作的基礎。

要求

通常由於總體系統承載的任務和運行環境的不同、對於元器件一級的加固要求也是不同的。下表列舉了一些元器件的兩種輻射損傷閾值。

結構

對元器件加固技術包括了電路設計、器件結構、工藝技術以及輻射試驗程式等各個方面,而且要把整個生產過程置於抗輻射加固保障程式監管之下,同時為了規範與指導加固元器件的試驗、選用、採購和使用,政府行業部門制定了一系列標準。

實例

例如,對於電離輻射(總劑量)效應的試驗程式,我國制定了相應的國軍標,美國有軍標MIL-STD-883D、方法1019.4和ASTMF182-98,歐洲則有ESA/SCC基本規程NO.22900。

發展

隨著抗輻射加固技術的不斷發展,國內外發現了兩個值得關注的動態,一個是在雙極、體矽與絕緣體上的矽互補金屬氧化物半導體(SOICMOS)電路,動態隨機存儲器(DRAM)和現場可程式門陣(FPGA)等器件中發現了一些新的輻射效應和現象,其中一些研究成果已用於新發布的輻射試驗程式中;另一個則是國外正致力於把商用器件套用到空間系統中。

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