抗輻射加固器件(radiation hardened component)是2005年公布的航天科學技術名詞。
基本介紹
- 中文名:抗輻射加固器件
- 外文名:radiation hardened component
- 所屬學科:航天科學技術
- 公布時間:2005年
抗輻射加固器件(radiation hardened component)是2005年公布的航天科學技術名詞。
抗輻射加固器件 抗輻射加固器件(radiation hardened component)是2005年公布的航天科學技術名詞。公布時間 2005年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《航天科學技術名詞》第一版。
抗輻射加固電連線器是指用於飛彈或其他武器系統中電子設備與電子設備之間的電路連線或分離,並在核輻射環境下,能正常進行電信號傳輸和控制的機電元件。定義 抗輻射加固電連線器是指用於飛彈或其他武器系統中電子設備與電子設備之間的電路連線或分離,並在核輻射環境下,能正常進行電信號傳輸和控制的機電元件。簡介 現代...
《積體電路器件抗輻射加固設計技術》是2023年科學出版社出版的圖書,作者是閆愛斌等。內容簡介 《積體電路器件抗輻射加固設計技術》從積體電路器件可靠性問題出發,具體闡述了輻射環境、輻射效應、軟錯誤和仿真工具等背景知識,詳細介紹了抗輻射加固設計(RHBD)技術以及在該技術中常用的相關組件,重點針對表決器、鎖存器、...
《抗輻射雙極器件加固導論》是2019年哈爾濱工業大學出版社出版的圖書。內容簡介 本書從我國宇航用電子元器件實際需要出發,總結作者多年的研究成果,論述了雙極工藝器件輻射損傷效應的基本特徵和微觀機制,提出了雙極工藝器件抗輻射加固原理與技術研究的基本思路,涉及半導體物理與器件基礎、空間帶電粒子輻射環境表征、雙極器件...
抗輻射加固工藝技術是指為使半導體器件和積體電路在輻射環境中能夠正常工作或具有很長的使用壽命所需採取的工藝措施。抗輻射加固技術是為保證電子系統、儀器等在輻射環境中仍能完好並可靠地完成各種預定功能而採取的各種技術措施。定義 抗輻射加固工藝技術是指為使半導體器件和積體電路在輻射環境中能夠正常工作或具有很長...
抗輻射加固計算機是指在設計和製造過程中通過採取加固措施,能夠在輻射環境條件下可靠運行的計算機。通常輻射環境包括核爆炸、核反應堆產生的核輻射和來源於太陽宇宙線、銀河宇宙線及地球輻射帶的空間高能粒子輻射。簡介 抗輻射加固計算機是指在設計和製造過程中通過採取加固措施,能夠在輻射環境條件下可靠運行的計算機。輻射...
《矽半導體器件輻射效應及加固技術》是2013年科學出版社出版的圖 書,作者是劉文平。內容簡介 《矽半導體器件輻射效應及加固技術》重點介紹了矽半導體器件的電離輻射損傷效應及其抗輻射加固的基本原理和方法。《矽半導體器件輻射效應及加固技術》共分六章,主要內容包括空間電離輻射環境、半導體電離輻射損傷、器件單粒子翻轉率...
抗輻射加固是指為提高太空飛行器耐受天然或人工粒子輻射壞境的能力,避免其運有期間遭受輻射損傷,面對太空飛行器採取的防護措施。來源 對太空飛行器有危害的天然粒子輻射來源於地球輻射帶、銀河宇宙線和太陽宇宙線,人工粒子輻射來自高空核爆炸、太空飛行器核能源系統等,這些粒子輻射可分為持續性和突發性兩類。產生的損傷性輻時效應 ...
《宇航MOSFET器件單粒子輻射加固技術與實踐》是2023年哈爾濱工業大學出版社出版的圖書。內容簡介 本書系統介紹宇航MOSFET器件的單粒子效應機理和加固技術。全書共6章,主要內容包括空間輻射環境與基本輻射效應、宇航M0SFET器件的空間輻射效應及損傷模型、宇航M0SFET器件抗單粒子輻射加固技術、宇航M0SFET器件測試技術與輻照...
《基於SOI技術的新型抗輻射非揮發存儲器件研究》是依託清華大學,由潘立陽擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 抗輻射非揮發存儲器在國防電子裝備、宇航系統、深空探測、氣象、地面監控系統等眾多領域有著廣泛套用,但在具有大劑量抗輻射加固能力的高可靠器件研究方面正面臨嚴峻科學挑戰,並顯現出向電荷俘獲型技術及SOI...
第7章輻射加固器件的SPICE模型 7.1環柵版圖電晶體介紹 7.2環柵版圖電晶體建模技術 7.2.1寬長比 7.2.2輸出電阻 7.2.3電容 7.2.4仿真方法 7.3實驗結果及討論 7.3.1矩形電晶體比較 7.3.2環柵版圖電晶體比較 7.3.3梯形電晶體比較 7.4其他加固器件的建模 7.5本章小結 參考文獻 第8章抗輻射單元庫...
(4)迴避。探測出引起計算機邏輯狀態改變的NEMP瞬時感應電平,在NEMP瞬間系統暫停工作,待過後再恢復並修正誤差。(5)元器件選擇。選用抗NEMP能力強的元器件或在設計製造過程中,採取有效措施,提高元器件本身抗NEMP損傷的能力。抗核輻射加固 核爆炸時,從原子核內釋放出來的粒子或電磁輻射稱核輻射。
第5章抗輻射累積劑量效應加固技術163 5.1概述163 5.2抗電離總劑量效應加固技術164 5.2.1衛星抗電離總劑量效應加固設計的基本原則164 5.2.2抗輻射加固設計餘量與元器件/材料抗輻射指標166 5.2.3衛星電子系統抗電離總劑量加固設計一般方法167 5.3抗位移損傷效應加固技術171 5.3.1抗位移損傷效應加固設計一般...
(5)設計實現了基於時序等價性檢查的系統級軟錯誤可靠性分析原型系統SEC-HSERA;(6)完成了高速A/D轉換器的抗輻射加固單元庫的設計,並套用到高速A/D數據轉換器的設計之中;(7)提出一種提高半導體積體電路和器件抗單粒子能力的方法,一種積體電路圓片級抗總劑量和中子加固的方法。
⑥輻射環境。主要採用抗輻射加固技術。首先了解輻射環境和輻射效應損傷機理;其次,根據抗輻射指標和電子系統所要求完成的性能要求制定失效判據;最後,按照合理的安全係數進行加固設計。從器件生產、電路設計到組裝成計算機系統,每個環節都可加固,但元器件加固是整個加固工作的基礎。⑦惡劣氣侯環境。為了在惡劣的氣侯環境...
基於構建的65nm體矽CMOS工藝抗輻射設計加固技術平台,國內同行即可快速研製出滿足中、高軌空間套用要求的抗輻射晶片,極大的提高了抗輻射積體電路的研製效率。研究成果促進了國內宇航用器件研製水平的躍升,對於打破國際技術壁壘,保障我國宇航用核心器件自主可控具有極其重要的戰略意義。 [1]...
4.2 器件結構與基本原理58 4.3 輻射效應60 4.4 單粒子翻轉仿真分析66 4.5 結論68 參考文獻68 第5章 標準CMOS技術中的抗輻射加固設計的參考電壓和電流72 5.1 引言72 5.2 帶隙參考電路的抗輻射設計方法72 5.3 典型的CMOS帶隙電壓求和基準74 5.4 抗輻射加固設計的參考電壓...
目前,吉赫茲抗輻射PLL的研究存在著多端動態器件的SET失效機理尚未掌握、缺乏相關SET電路模型、缺乏有效的低開銷加固方法等突出問題。因此,對高性能PLL中SET效應的相關科學問題展開深入研究具有重要的理論和套用價值。.本項目將採用理論分析、器件和電路模擬以及輻射試驗等多種手段,深入研究吉赫茲PLL的SET失效機理,建立...
項目提出了雙極器件基區複合增強理論,闡明了累積劑量對脈衝輻射二次光電流衰減的影響機理;建立了動態閂鎖模型和微分閂鎖模型,闡釋了體矽CMOS器件中閂鎖敏感性隨累積劑量的依賴關係。通過數值仿真和輻照實驗,驗證了理論分析和數學模型。研究成果可為電子器件的抗輻射加固和可靠性評估提供理論支持,促進我國電子器件抗輻射...
《超薄SOI材料中Si納米糰簇的形成、表征和抗輻射機理研究》是依託深圳大學,由賀威擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 本項目以超薄SOI材料製作抗輻射積體電路的套用需求為背景,擬採用Si離子注入結合退火技術對超薄SOI材料進行抗總劑量輻射加固,研究新的注Si工藝參數,針對不同超薄SOI材料的頂層矽厚度、...
抗輻射劑 抗輻射劑(anti-radiation agent)是2016年公布的化學名詞。定義 可以延長材料在強輻射場中性能及使用壽命的添加劑。出處 《化學名詞》第二版。
為了保證電子設備能適應預定的輻射環境而正常工作,一般需要進行抗輻射加固的研究和設計,包括元件器件的加固、電路的加固和結構、材料的加固等。對一個實際的電子系統的抗輻射加固技術很複雜,除了理論分析之外,往往需要通過實驗和藉助電子計算機進行反覆的模擬和輔助設計。經過專門加固的電子系統,可使抗輻射能力提高2~3...
瞬態Χ射線、X射線脈衝輻照,會使器件的電性能發生瞬間變化。由於電離效應,在器件中會產生光電流。光電流的產生給電子系統引入附加信號使其功能改變,嚴重者可使器件的引線燒毀造成永久性破壞。光電流的大小與射線的強度、脈衝持續時間、器件種類、偏置高低和負載大小等因素有關。因此抗瞬態輻射加固是電子系統抗輻射加固...
抗輻射加固是空間套用積體電路的關鍵技術之一。本項目面向當前主流的超深亞微米工藝,針對單粒子效應和總劑量效應展開研究。針對單粒子效應,本項目將主要圍繞SET和MBU的失效機理與加固進行研究,重點研究決定SET脈衝寬度的擴散和雙極放大機理以及MBU的電荷共享機理,分析器件工藝、版圖和電路結構等參數對SET產生與傳播以及...
帶著國際學術視野,趙元富認真分析我國星用元器件抗輻射方面的技術特點和落後原因,並努力尋找解決辦法。1999年,他提出了採用設計技術進行衛星用數字積體電路抗輻射加固的思想,該技術的開發成功正在並將進一步對我國衛星用抗輻射加固數字電路的國產化發揮重要作用。“‘十一五’期間,我國星用積體電路要實現國產化。利用...
太空飛行器的高速發展要求抗輻照積體電路的設計必須基於65納米以下工藝節點。本項目面向65 納米以下工藝節點,針對納米器件輻射效應、納米積體電路輻射效應與加固、輻射效應試驗展開研究。首先,針對納米器件輻射效應,主要圍繞體矽工藝下的新特性及新器件的輻射效應機理進行研究,揭示納米級器件輻射效應新現象及其輻射損傷機制,...
2009年7月參加工作,現擔任中國科學院電子學研究所可程式晶片與系統研究室抗輻射加固和IP專業組長,主管設計師。研究領域 可程式晶片設計技術;抗輻射積體電路設計技術;輻射效應檢測及評估技術 科研項目 主要從事可程式邏輯器件和系統研製、抗輻射加固設計和輻射效應檢測及評估等方面的研究工作,先後參與了多項國家和...
《考慮多節點電荷收集的納米CMOS單粒子瞬態效應研究》是依託中國人民解放軍國防科技大學,由陳書明擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 抗輻射加固是空間套用積體電路的關鍵技術之一。在納米尺寸下,單粒子瞬態效應引發的軟錯誤率已逐漸成為總的軟錯誤率的主要來源。本項目面向當前主流的納米體矽CMOS工藝,深入開展多節點...