《基於SOI技術的新型抗輻射非揮發存儲器件研究》是依託清華大學，由潘立陽擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於SOI技術的新型抗輻射非揮發存儲器件研究
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：潘立陽
- 項目類別：面上項目
- 批准號：60876076
- 申請代碼：F0406
- 負責人職稱：副研究員
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：32（萬元）
項目摘要
抗輻射非揮發存儲器在國防電子裝備、宇航系統、深空探測、氣象、地面監控系統等眾多領域有著廣泛套用，但在具有大劑量抗輻射加固能力的高可靠器件研究方面正面臨嚴峻科學挑戰，並顯現出向電荷俘獲型技術及SOI技術轉移的趨勢。本項目針對當前抗輻射非揮發存儲器研究面臨的主要技術限制和發展趨勢，基於SOI技術研發新一代具有大劑量抗輻射能力的CTM存儲技術。課題首次提出一種基於源級誘導帶帶隧穿熱空穴注入編程的新型自洽浮體SOI-CTM存儲器件結構，並重點通過對新型SOI-CTM存儲器件結構及其操作、存儲器件及工藝設計實現、器件特性及抗輻射特性等關鍵技術進行系統深入的前沿性研究，研發具有良好抗輻射性能的絕緣襯底CTM存儲器件。本研究將有助於為發展具有自主智慧財產權的新一代大劑量抗輻射存儲技術提供科學依據及技術基礎，並促進我國國防套用核心電子器件的發展。
