《SOI CMOS技術及其套用》是2005年科學出版社出版的圖書，作者是黃如、張國艷、李映雪、張興。
基本介紹
- 作者：黃如、張國艷、李映雪、張興
- ISBN：9787030159687
- 頁數：383
- 定價：48.0
- 出版社：科學出版社
- 出版時間：2005-10
- 裝幀：平裝
內容介紹,作者介紹,
內容介紹
本書從材料、器件、工藝和電路角度系統地介紹SOI CMOS技術。全書共分8章，從SOI材料的主要製備技術以及表征技術開始，詳細分析和闡述SOI MOS器件的主要基本特性和物理效應，包括浮體效應、短溝效應、窄溝效應、邊緣效應、熱載流子效應、自加熱效應以及器件的瞬態特性、噪聲特性和抗輻射特性等；然後從定量分析的角度介紹器件的理論模型；介紹SOI CMOS工藝製備技術以及一些很有潛力的新型SOI器件；最後重點介紹SOI CMOS電路套用，包括SOI微處理器電路、數模混合信號電路、射頻積體電路、存儲器電路以及高溫高壓SOI電路等。本書取材新穎，涵蓋了SOI CMOS技術的基本知識和最新進展。
本書可作為微電子專業的研究生和高年級本科生以及專業技術人員的重要參考書，也可以作為信息領域其他專業的學生和相關科研人員、工程技術人員的重要參考資料。
作者介紹
黃如，女，教授，博士生導師。北京大學信息科學技術學院副院長，微電子學研究院院長 研究方向： SOI技術；納米尺度半導體新結構邏輯和存儲器件；模型模擬及射頻相關技術等
2006年獲國家傑出青年科學家基金，2008年獲聘長江學者特聘教授；現為《中國科學》副主編、信息產業科技發展“十一五”計畫和2020年中長期規劃編制專家組專家；中國電子學會半導體與集成技術分會委員會委員；專業國際核心期刊”IEEE Transactions on Electron Devices”的editor。
現主要從事新結構、新工藝器件研究以及射頻電路相關技術研究。主持了國家973課題、863課題、國家傑出青年基金項目、國家自然基金重點項目和面上項目、電子預研等多項國家項目。
在納米尺度新結構器件、新工藝技術、器件可靠性、射頻元器件及相關電路技術等方面取得了若干創新成果，提出了面向不同套用和不同積體電路技術代的新型準SOI 器件、垂直雙柵器件、BOI FinFET結構、基於傳統微電子加工方法的圍柵納米線器件、VDNROM和DDFG快閃記憶體器件等新器件技術；主持研究了DTV射頻調諧器和RF ID相關技術的開發。
已合作出版著作4本，發表論文200餘篇。獲得26項授權發明專利，獲專利申請號的發明專利22項。
曾獲北京市科學技術發明一等獎、教育部科技進步一等獎、中國青年科技獎、教育部霍英東青年教師研究獎、中國青年女科學家提名獎、教育部新世紀優秀人才計畫等部委級獎勵。
